[发明专利]一种硅基OLED微显示器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，硅基OLED微显示器件包括含CMOS驱动电路的硅基板，所述硅基板上设有由下到上依次设置的阳极层、OLED显示器件、封装层、滤光层和水汽阻隔膜。本发明通过优化结构设置，之后通过硅基板CMP减薄，将微显示器件总厚度控制在100μm左右，重量是市场上现有微显示器件的1/13，极大得解决了微显示器件的轻薄化问题。

技术领域

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种硅基OLED微显示器件及其制备方法。

背景技术

微型OLED显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驱动的有机发光器件，像素高达800×600以上，硅基OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，硅基OLED微显示器将迎来爆发式的增长。随着未来微显示技术的发展，轻薄、低功耗的微显示产品才能更加满足消费者的日益需求。目前市场上硅基OLED微显示器件，厚度为725μm硅晶圆作为基底，厚度为500μm盖板玻璃保护显示层。

然而，总厚度将近1300μm的微显示器件，重量较重，消费者体验较差。另外，传统的OLED微显示器件的制作工艺中，采用的是先机械划片再小片玻璃贴合的技术，工艺复杂。采用玻璃盖板的OLED微显示器件相对较厚重，不利于消费者轻薄化的需求。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题。为此，本发明提供一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，目的是优化结构设置，便于后续减薄形成超薄微显示器件。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种硅基OLED微显示器件，包括含CMOS驱动电路的硅基板，所述硅基板上设有由下到上依次设置的阳极层、OLED显示器件、封装层、滤光层和水汽阻隔膜。

所述阳极层为Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN层。

所述OLED显示器件包括发光层和阴极层，所述阴极层为半透明结构。

所述封装层由有机材料层与无机材料层交替沉积而成。

所述滤光层为彩色滤光片。

所述水汽阻隔膜为PEN膜。

所述水汽阻隔膜上贴合有研磨保护膜。

所述硅基OLED微显示器件的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、在含CMOS驱动电路的硅基板上制备阳极层；

步骤二、在阳极层上热蒸镀OLED显示器件；

步骤三、对OLED显示器件封装以形成薄膜封装层；

步骤四、在薄膜封装层上制备RGB彩色滤光片，形成滤光层；

步骤五、在滤光层上涂布水汽阻隔膜；

步骤六、在水汽阻隔膜上贴合研磨保护膜，对硅基板进行CMP减薄；

步骤七、减薄后将研磨保护膜揭掉；

步骤八、对减薄后的集成有CMOS驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和水汽阻隔膜的硅基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的硅基微显示芯片。

所述步骤一中制作阳极层是采用蒸镀或溅射的方式形成，材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN。

所述步骤二中热蒸镀的环境真空度＜6×10^-4Pa。通过控制此参数下的环境真空度，能够保证蒸镀出合适需求的OLED显示器件。