[发明专利]一种硅基OLED微显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基OLED微显示器件，包括含CMOS驱动电路的硅基板，其特征在于，所述硅基板上设有由下到上依次设置的阳极层、OLED显示器件、封装层、滤光层和水汽阻隔膜。

2.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述阳极层为Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN层。

3.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述OLED显示器件包括发光层和阴极层，所述阴极层为半透明结构。

4.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述封装层由有机材料层与无机材料层交替沉积而成。

5.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述滤光层为彩色滤光片。

6.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述水汽阻隔膜为PEN膜。

7.根据权利要求1所述硅基OLED微显示器件，其特征在于，所述水汽阻隔膜上贴合有研磨保护膜。

8.根据权利要求1-7任一项所述硅基OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在含CMOS驱动电路的硅基板上制备阳极层；

步骤二、在阳极层上热蒸镀OLED显示器件；

步骤三、对OLED显示器件封装以形成薄膜封装层；

步骤四、在薄膜封装层上制备RGB彩色滤光片，形成滤光层；

步骤五、在滤光层上涂布水汽阻隔膜；

步骤六、在水汽阻隔膜上贴合研磨保护膜，对硅基板进行CMP减薄；

步骤七、减薄后将研磨保护膜揭掉；

步骤八、对减薄后的集成有CMOS驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和水汽阻隔膜的硅基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的硅基微显示芯片。

9.根据权利要求8所述硅基OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，所述水汽阻隔膜为PEN膜，透光率≥98％，水氧阻隔率＜10^-4g/m²/day，厚度≤100μm。

10.根据权利要求8所述硅基OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，所述研磨保护膜为BG膜，CMP减薄方式为干磨，干磨过程中通入冷却水保持温度≤100℃，通过粗磨、精磨及超精磨，将硅基板从725μm减薄至≤100μm。