[发明专利]封装方法在审
| 申请号： | 201911370902.3 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053760A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 汪新学;龚罗炜;王敬平;陶智昆 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
提供载体晶圆；
提供半导体芯片，包括待键合面，所述待键合面上形成有粘胶层；
对所述粘胶层进行第一加热处理，使所述粘胶层处于第一温度；
对所述载体晶圆进行第二加热处理，使所述载体晶圆处于第二温度，所述第二温度小于所述第一温度；
通过所述粘胶层将半导体芯片键合在所述载体晶圆上。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述半导体芯片与所述载体晶圆键合后，升温加压，对所述粘胶层、半导体芯片以及载体晶圆进行气泡去除处理。
3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述气泡去除处理的工艺参数包括：温度为150℃至200℃，压强为5mtorr至10mtorr。
4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述气泡去除处理的工艺参数包括：工艺时间为3小时至5小时。
5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，采用高温高压烤箱进行所述气泡去除处理。
6.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述第二温度位于40℃至80℃的范围内。
7.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述第一温度位于100℃至200℃的范围内。
8.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，对所述粘胶层进行第一加热处理的步骤中，所述半导体芯片形成在键合头的底部，所述键合头包括第一加热装置和位于所述第一加热装置底部的吸附装置。
9.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述第一加热装置包括焊头。
10.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，提供载体晶圆的步骤中，所述载体晶圆位于所述第二加热装置上；
对所述载体晶圆进行第二加热处理的步骤中，通过第二加热装置使所述载体晶圆处于第二温度。
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述第二加热装置包括具有电阻丝的键合台。
12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述粘胶层包括DAF膜。
13.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，通过所述粘胶层将半导体芯片键合在所述载体晶圆上的步骤中，键合压力处于3N至5N的范围内，键合时间为0.3秒至1秒。
14.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述粘胶层的厚度为10微米至20微米。
15.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述半导体芯片包括存储芯片、通讯芯片、处理芯片、闪存芯片或逻辑芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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