[发明专利]基板处理方法及基板处理系统

说明书

提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。该基板处理方法包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法及基板处理系统。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，为了形成用于构成装置的元件及布线等，进行用于在半导体晶片等基板上形成聚合物的膜的成膜处理。作为这种成膜处理的方法之一，存在一种方法，其在将用于使单体聚合的氧化剂预先涂布或使该氧化剂吸附在基板上的状态下，向基板上供给单体，并在基板上使各个单体气相沉积聚合，从而在基板表面进行聚合物膜的成膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开平10-53651号公报

专利文献2：(日本)特表2010-533219号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开的目的在于提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，根据本公开的一个实施方式，提供一种基板处理方法，包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。

发明的效果

根据本公开的一个实施方式，能够提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。

附图说明

图1是示出本公开中的基板处理方法的第1实施方式的工序图。

图2是示出本公开中的基板处理方法的第2实施方式的工序图。

图3是示出本公开中的基板处理方法的第3实施方式的工序图。

图4(a)～图4(e)是利用本公开中的基板处理方法针对具有2个区域的基板进行聚合物的成膜的情况的示意图。

图5(a)～图5(e)是利用本公开中的基板处理方法针对具有1个区域的基板进行聚合物的成膜的情况的示意图。

图6是示出本公开中的基板处理系统的实施方式的基板处理装置的剖面图。

图7是示出本公开中的基板处理系统中的各成分供给的时间的图。

图8是利用本公开中的基板处理系统所蚀刻的基板的剖面图。

图9是图8的基板中的一部分被蚀刻的基板的剖面图。

图10是在图9的基板中的露出的部分处形成有保护膜的基板的剖面图。

图11是图10的基板中一部分进一步被蚀刻的基板的剖面图。

图12是在图11的基板中进一步露出的部分处形成有保护膜的基板的剖面图。

图13是图12的基板中的一部分进一步被蚀刻的基板的剖面图。

图14是利用本公开中的基板处理系统将保护膜去除的基板的剖面图。

图15是用于对本公开中的基板处理方法进行评价的测量用的基板处理装置的概要图。

具体实施方式