[发明专利]基板处理方法及基板处理系统

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

提供基板的工序；

向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及

向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板具有2个以上的区域，

所述2个以上的区域中的至少1个区域具有高于氧化硅的介电常数，

所述单体与所述至少1个区域化学键结。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，还包括：

在供给所述单体的工序之前，对所述至少1个区域进行氢末端化的工序。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述至少1个区域由选自硅、氢化硅以及氮化硅的至少一种构成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述单体具有烯基。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述烯基为乙烯基。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：

在供给所述单体的工序之后，去除所述基板上的残留物的工序。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述单体具有共轭杂环化合物结构。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，

所述共轭杂环化合物结构是具有非共有电子对的结构。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，

构成所述共轭杂环化合物结构的共轭杂环化合物为选自硫杂茂、氮杂茂以及氧杂茂的至少一种共轭杂环化合物。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述引发剂为自由基引发剂。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，

所述自由基引发剂是选自无机过氧化物、有机过氧化物以及偶氮化合物的至少一种自由基引发剂。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：

在供给所述引发剂的工序之后，对形成有所述聚合物的膜的基板进行蚀刻的工序。

14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板具有2个区域，

所述2个区域中的一个区域由介电常数等于或低于氧化硅的材料构成，

所述2个区域中的另一个区域由介电常数高于氧化硅的材料构成，

所述单体与所述另一个区域化学键结。

15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，

所述一个区域由选自氧化硅、氧化铝以及氧化钛的至少一种构成，

所述另一个区域由氮化硅和/或硅构成。

16.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括：

重复包括供给所述单体的工序以及供给所述引发剂并形成聚合物的膜的工序的循环的工序。

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，

按照每个所述循环来改变所述单体的供给量和聚合条件。

18.一种进行根据权利要求1至17中任一项所述的基板处理方法的基板处理系统，包括：

处理容器，能够形成真空气氛；

载置部，设在所述处理容器内，并且用于放置基板；

第一供给部，向所述处理容器内供给所述单体；

第二供给部，向所述处理容器内供给所述引发剂；以及

控制部，以在利用所述第一供给部供给所述单体之后利用所述第二供给部向所述处理容器内供给所述引发剂的方式进行控制。