[发明专利]一种半导体装置及其探针测试方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置及其探针测试方法，包括底座基板(1)，连接探针(2)，陶瓷管(3)，填充保护层结构(4)，防氧化盖(5)，手拉带(6)，加热丝(7)，侧拉柄(8)，侧防护壳(9)，电极阴极(10)，电极阳极(11)，蜂鸣警报器(12)，指示灯(13)和装置主壳体(14)，所述的底座基板(1)螺钉连接在装置主壳体(14)的下部位置；所述的连接探针(2)镶嵌在底座基板(1)的下部；所述的陶瓷管(3)镶嵌在装置主壳体(14)的内部位置；所述的填充保护层结构(4)填充在装置主壳体(14)的内部；所述的防氧化盖(5)套接在连接探针(2)的外侧下部位置；所述的手拉带(6)胶接在防氧化盖(5)的下表面中间位置；所述的加热丝(7)镶嵌在填充保护层结构(4)的内部中间位置；所述的侧拉柄(8)螺钉连接在侧防护壳(9)的外侧中间位置；所述的侧防护壳(9)分别扣接在装置主壳体(14)的左右两端位置；所述的电极阴极(10)和电极阳极(11)分别镶嵌在装置主壳体(14)的上部左右两侧位置；所述的蜂鸣警报器(12)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面左上侧；所述的指示灯(13)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面右上侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的填充保护层结构(4)包括栅极绝缘膜层(41)，第一金属氧化物层(42)，氧化物半导体膜层(43)，定型布线层(44)，第二金属氧化物层(45)和氧化物膜(46)，所述的第一金属氧化物层(42)涂抹在栅极绝缘膜层(41)和氧化物半导体膜层(43)之间；所述的氧化物半导体膜层(43)胶接在定型布线层(44)的上部；所述的定型布线层(44)胶接在第二金属氧化物层(45)的上部；所述的第二金属氧化物层(45)氧化物膜(46)的上部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述的栅极绝缘膜层(41)与电极阴极(10)和电极阳极(11)重叠设置。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述的氧化物半导体膜层(43)的上端与所述的氧化物膜(46)的下端宽度一致。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述的氧化物半导体膜层(43)及所述的氧化物膜(46)各自都包含In-W-Zn氧化物，其中W为选自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce和Nd构成的组中的一个，并且其中，所述的氧化物膜(46)的In对W的原子个数比小于所述的氧化物半导体膜层(43)。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述的氧化物膜(46)为非晶的；所述的氧化物半导体膜层(43)为结晶的。

7.如权利要求1所述的半导体装置的探针测试方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤一：待测试半导体装置的处理；

步骤二：半导体装置与测试探针卡连接；

步骤三：探针卡与测试装置连接：

步骤四：测试数据的分析；

步骤五：有效信息的输出；

步骤六：无效信息的输出

步骤七：测试结果的反馈。

8.根据权利要求7所述的半导体装置及其探针测试方法，其特征在于，在步骤一中，所述的将半导体装置的连接探针中包括若干接触电极，在所述待测区域的周围形成若千个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层。

9.根据权利要求7所述的半导体装置及其探针测试方法，其特征在于，在步骤二中，将同一晶圆上所有类型芯片电学测试所需要的探针制造在同一张探针卡上；芯片类型的划分条件：芯片种类、芯片形状、芯片尺寸和芯片焊垫排布关系均不同的芯片被划分为不同类型。

10.根据权利要求7所述的半导体装置及其探针测试方法，其特征在于，在步骤三中，将探针卡连接被测芯片，通过测试装置执行测试；所述的测试装置采用SOC测试仪，SOC测试仪的DFM模块记录不同类型的失效BIN信息,SOC测试仪对不同种类的失效BIN信息进行区分，将不同种类的失效BIN信息上传到对应的服务器上。