[发明专利]正负压接口的ESD防护装置在审
| 申请号： | 201911346587.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111009511A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 谷欣明;钟晓宇;吴子奇;王锁成;刘枫;汪军民;陈培元;代雨珊;李际浩 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正负 接口 esd 防护 装置 | ||
1.一种正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，包括一半导体基片、第一接口端，所述半导体基片的上部设置有第一掺杂区域，所述第一掺杂区域包括依次相邻的第一p阱、第一n阱、第二p阱；
所述第一p阱的上部自左向右依次设置有第一p型重掺杂区、第一n型重掺杂区、第二p型重掺杂区；
所述第二p阱的上部自左向右依次设置有第三p型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第四p型重掺杂区；
所述第一p阱与所述第一n阱的相邻部的上部设置有第三n型重掺杂区；所述第二p阱与所述第一n阱的相邻部的上部设置有第四n型重掺杂区；
所述第二n型重掺杂区和所述第四p型重掺杂区接地；
所述第一p型重掺杂区和所述第一n型重掺杂区分别与所述第一接口端电连接，
所述第一接口端用于与所述正负压接口电连接。
2.如权利要求1所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述ESD防护装置还包括第二n阱，所述第二n阱为U形，所述第二n阱包围所述第一掺杂区域。
3.如权利要求2所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第二n阱的下方设置有NBL。
4.如权利要求3所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第一p阱、所述第一n阱、所述第二p阱和所述第二n阱的上表面均设置有FOX。
5.如权利要求4所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第一p阱和所述第二p阱均为标准p阱。
6.如权利要求5所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第一n阱为标准n阱。
7.如权利要求6所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第二n阱为深n阱。
8.如权利要求6所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述第二n阱为高压n阱。
9.如权利要求6所述的正负压接口的ESD防护装置，其特征在于，所述半导体基片为左右对称结构。
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