[发明专利]一种激光传输微型芯片的装置及方法在审
| 申请号: | 201911319173.9 | 申请日: | 2019-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN110911327A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
| 发明(设计)人: | 常博;宋龙刚;周权 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 马贵香 |
| 地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光 传输 微型 芯片 装置 方法 | ||
1.一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,包括基板(4)、三维运动平台、第一支撑架和激光器(12);
三维运动平台固定在基板(4)上,三维运动平台顶部设置有样品台(8),样品台(8)两端向上延伸,样品台(8)顶部设置有带有微型芯片(10)的热敏胶带(9),热敏胶带(9)两端固定在样品台(8)两个延伸段顶部,微型芯片(10)位于热敏胶带(9)底部,样品台(8)中部设置有芯片接收基板(11);
第一支撑架固定在基板(4)上,激光器(12)固定在第一支撑架上,激光器(12)位于样品台(8)正上方,激光器(12)输出端朝向样品台(8)。
2.根据权利要求1所述的一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,基板(4)上设置有第二支撑架,第二支撑架上固定有第一CCD相机(17),第一CCD相机(17)镜头朝下设置,第一CCD相机(17)位于三维运动平台的其中一个水平轴的上方。
3.根据权利要求1所述的一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,基板(4)上设置有三维手动位移平台,三维手动位移平台顶部固定有第二CCD相机(24),第二CCD相机(24)镜头水平设置,朝向样品台(8)。
4.根据权利要求3所述的一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,三维手动位移平台包括一级手动直线滑台(26)、二级手动直线滑台(27)和三级手动直线滑台(28),一级手动直线滑台(26)固定在基板(4)上;二级手动直线滑台(27)通过螺栓固定在一级手动直线滑台(26)上,一级手动直线滑台(26)和二级手动直线滑台(27)在水平方向上垂直;二级手动直线滑台(27)顶部设置有L型连接件(30),L型连接件(30)一边竖直设置,三级手动直线滑台(28)竖直固定在L型连接件(30)的竖直边上。
5.根据权利要求1所述的一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,第一支撑架包括支撑柱(16)和支撑杆(14),支撑柱(16)竖直设置,支撑柱(16)底端固定在基板(4)上,支撑杆(14)通过十字连接件(15)水平固定在支撑柱(16)顶端。
6.根据权利要求1所述的一种激光传输微型芯片装置,其特征在于,热敏胶带(9)和芯片接收基板(11)的间距为2-5mm。
7.一种基于权利要求1-6任意一项所述装置的激光传输微型芯片方法,其特征在于,包括以下步骤;
步骤一,将芯片接收基板(11)放置在样品台(8)中部,将粘附有微型芯片(10)的热敏胶带(9)两端固定在样品台(8)两个延伸段顶部;
步骤二,控制三维运动平台,对样品台(8)进行移动,将芯片接收基板(11)需要放置微型芯片(10)的放置点移动到激光器(12)正下方;
步骤三,启动激光器(12),向下方发射激光束,烧蚀热敏胶带(9),使微型芯片(10)从热敏胶带(9)上释放到芯片接收基板(11)上;
步骤四,重复步骤二和步骤三,直到芯片接收基板(11)上所有放置点均放置有微型芯片(10),完成每个放置点微型芯片(10)的激光传输,关闭激光器(12),取下热敏胶带(9)和芯片接收基板(11)。
8.根据权利要求7所述的一种激光传输微型芯片方法,其特征在于,步骤二中,还包括以下步骤;
步骤1,控制三维运动平台,对样品台(8)进行移动,将热敏胶带(9)任意一点移动到激光器(12)正下方,启动激光器(12)进行基准点的烧蚀记录;
步骤2,以热敏胶带(9)为平面,建立平面坐标,基准点为坐标原点;
步骤3,控制三维运动平台,对样品台(8)进行移动,将试验点和每个放置点依次移动到第一CCD相机(17)的镜头下方,根据三维运动平台移动的距离,记录每个放置点的坐标;
步骤4,根据步骤(3)三维运动平台移动的顺序和距离,控制三维运动平台,对样品台(8)进行移动,将基准点移动到激光器(12)正下方,后续三维运动平台的移动,按照每个放置点的坐标进行移动,进行激光传输。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





