[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法和显示装置有效
申请号: | 201911285452.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111146255B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 邢汝博 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 赵永辉 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
位于基板上的间隔排布的多个像素单元和用于将所述多个像素单元间隔开的像素限定层,所述像素单元包括功能膜层,所述像素限定层包括顶层和底层,所述底层靠近所述顶层的一侧设置有凹槽,所述顶层位于所述凹槽内;所述功能膜层材料在所述底层上的接触角小于30度,所述功能膜层材料在所述顶层上的接触角大于50度;
在沿所述顶层到所述底层的方向上,所述底层的高度为0.5-2微米,所述凹槽的深度为所述底层的高度的30%-80%。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述功能膜层材料在所述顶层上的接触角为50-150度。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,在沿所述顶层到所述底层的方向上,所述顶层的高度为1-20微米。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,在沿所述像素限定层到所述像素单元的方向上,所述凹槽距离所述基板的最远一侧的长度比所述底层距离所述基板的最远一侧的长度小4-10微米。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在沿所述顶层到所述底层的方向上,所述凹槽的截面形状为倒梯形。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述底层朝向所述像素单元一侧的侧壁与所述底层的底面之间的夹角为20-70度。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述底层的材料包括正性光刻胶,所述顶层的材料包括负性光刻胶。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板的一侧制备第一电极层并图形化处理;
在所述第一电极层远离所述基板的一侧制备像素限定层,所述像素限定层包括顶层和底层,其中,所述底层靠近所述顶层的一侧设置有凹槽,所述顶层位于所述凹槽内;
对所述像素限定层进行刻蚀形成间隔排布的多个待填充区域;
在所述待填充区域内喷墨打印制备功能膜层,所述功能膜层材料在所述底层上的接触角小于30度,且所述功能膜层材料在所述顶层上的接触角大于50度,在沿所述顶层到所述底层的方向上,所述底层的高度为0.5-2微米,所述凹槽的深度为所述底层的高度的30%-80%;
在所述功能膜层上制备第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的