[发明专利]一种OLED显示面板、其制备方法及其终端装置有效
申请号: | 201911270608.5 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN111063713B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 王一佳;曹君 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 制备 方法 及其 终端 装置 | ||
本发明提供了一种OLED显示面板、其制备方法及其终端装置。其中所述OLED显示面板包括衬底层、TFT构成层、平坦层、阳极、像素定义层、发光层、阴极层和封装层。其中在所述TFT构成层中的层间介质层还向下设置有一深入到所述衬底层中的底切结构(undercut),其中所述底切结构的内表面上还设置有一层阻隔无机层。本发明提供了一种OLED显示面板,其功能层结构设置能够有效的阻止外界水氧对于其发光层的侵入。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板、其制备方法及其应用的终端装置。
背景技术
由于有机发光二极管(OLED)自身所具有的自发光、高对比、广视角、低功耗、可弯折等优点,使其受到了业界研发者和市场大众的普遍喜爱。相应的,由其衍生出的柔性OLED显示屏也因为其可挠曲、轻薄等性能优点开始逐渐取代LCD显示屏,成为市场上的主流显示屏。
而随着OLED显示屏的使用,市场对于显示屏的可显示面积的要求也是越来越高,即需要尽量缩小边框的宽度,提高其屏占比,甚至要求没有边框实现“全面屏”的显示效果。
进一步的,在OLED显示屏作为手机终端的应用中,其中所述显示面板除了用作显示功能之外,其下方还需要设置摄像头,进而实现一种屏下摄像方案。另外,除了摄像头外,手机终端中的听筒和话筒等部件也占据了一定的手机显示屏中的面积。
为了提高手机终端的显示屏的屏占比,使其尽量少受屏下摄像方案的影响。业界对显示屏采用了激光切割技术,将所述摄像头置于AA显示区中间(HIA结构:hole inactive area)。
在OLED显示屏中,在AA区进行激光切割后,外界水、氧会沿着功能层中的阴极层(Cathode)等直接进行侧向入侵到其下设置的OLED发光层内,进而致使所述发光层因外界水、氧侵入而发生变质,从而导致其出现故障,影响其使用寿命。
因此,确有必要来开发一种新型的OLED显示面板,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种OLED显示面板,其功能层结构设置能够有效的阻止外界水氧对于其发光层的侵入。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED显示面板,包括衬底层、TFT构成层、平坦层、阳极、像素定义层、发光层、阴极层和封装层。其中在所述TFT构成层中的层间介质层还向下设置有一深入到所述衬底层中的底切结构(undercut)。其中所述底切结构的内表面上还设置有一层阻隔无机层,所述发光层及其上设置的所述阴极层延伸进入到所述底切结构内并设置在所述阻隔无机层上。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述发光层在所述底切结构的内表面上的所述阻隔无机层上的设置方式为断裂式设置,所述阴极层的设置方式对应所述发光层。其中所述发光层及其上的阴极层在所述底切结构内表面上的断裂式设置方式,使得所述发光层和阴极层自身结构也存在了一定阻隔侵入水氧的破坏能力,即使有外界水氧侵入,由于其自身内部的断裂结构以及填充在断裂处的无机层的阻隔,也使得侵入的水氧只能局限在所述发光层和阴极层内的有限的位置处,而不是扩散到整个发光层和阴极层结构,从而在一定程度上减轻侵入水、氧的破坏程度。
进一步的,在不同的实施方式中,其中所述阻隔无机层采用的材料包括SiNx、SiOxNy、SiOx、SiCNx、AlOx、TiOx中的至少一种。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述底切结构包括上下贯通相接的上部和下部,其中所述上部底面的宽度小于与其相接的所述下部顶面的宽度,使得所述下部的顶面相对所述上部的底面向外延伸出有一延伸段。
进一步的,对于所述发光层和阴极层在所述底切结构内表面的断裂处设置位置,其优选在所述底切结构的上、下部相结合的位置处,例如,所述延伸段的位置处,但不限于。
进一步的,其中所述阻隔无机层的厚度小于所述延伸段的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的