[发明专利]一种OLED显示面板、其制备方法及其终端装置有效

专利信息
申请号: 201911270608.5 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111063713B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 王一佳;曹君 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 显示 面板 制备 方法 及其 终端 装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示面板,包括衬底层、TFT构成层、平坦层、阳极、像素定义层、发光层、阴极层和封装层;其特征在于,其中在所述TFT构成层中的层间介质层还向下设置有一深入到所述衬底层中的底切结构;其中所述底切结构的内表面上还设置有一层阻隔无机层,所述发光层和其上设置的所述阴极层延伸进入到所述底切结构内并设置在所述阻隔无机层上;所述封装层包括第一无机层、第一有机层,所述第一无机层向下覆盖所述底切结构内表面,所述第一有机层覆盖于所述第一无机层上且从对应阴极层位置延伸终止于所述底切结构,所述第一无机层和所述第一有机层填充所述底切结构。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板;其特征在于,其中所述发光层在所述底切结构的内表面上的所述阻隔无机层上的设置方式为断裂式设置,所述阴极层的设置方式对应所述发光层。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板;其特征在于,其中所述阻隔无机层采用的材料包括SiNx、SiOxNy、SiOx、SiCNx、AlOx、TiOx中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板;其特征在于,其中所述底切结构包括上下贯通相接的上部和下部,其中所述上部底面的宽度小于与其相接的所述下部顶面的宽度,使得所述下部的顶面相对所述上部的底面向外延伸出有一延伸段。

5.根据权利要求4所述的OLED显示面板;其特征在于,其中所述阻隔无机层的厚度小于所述延伸段的长度。

6.根据权利要求4所述的OLED显示面板;其特征在于,其中所述底切结构的下部,其沿中线的剖面构型的为圆弧构型、方形构型或是矩形构型中的一种;其中所述底切结构的上部,其沿中线的剖面构型为矩形。

7.一种制备根据权利要求1所述OLED显示面板的制备方法;其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1、其为在提供的衬底层上依次制备出阻隔层、TFT构成层、平坦层、阳极、像素定义层以及底切结构,其中在所述底切结构是自所述TFT构成层中的层间介质层向下延伸置所述衬底层中;

步骤S2、其为在所述底切结构内部表面上形成一阻隔无机层;

步骤S3、其为进行发光层和阴极层的制备;以及

步骤S4、其为进行封装层的制备,进而完成所述OLED显示面板。

8.一种终端装置;其特征在于,其包括根据权利要求1所述的OLED显示面板。

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