[发明专利]滤波器封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种滤波器封装结构，包括：

谐振空腔，位于衬底中；

压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；

焊垫，位于衬底上且连接压电膜；

密封环，位于封装结构外缘；

沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖并接触密封环的顶面和焊垫顶面的一部分，键合层在密封环的外缘直接接触衬底；

有机材料的封盖层，位于键合层上，所述有机材料低温时呈固态、加温后具有一定的流动性。

2.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其中，键合层材料选自以下的任一或其组合：非晶硅、微晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其中，焊垫不含贵金属。

4.根据权利要求3所述的滤波器封装结构，密封环形成在焊垫外围，所述密封环不含贵金属。

5.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，牺牲层图形填充密封环与焊垫之间的空隙。

6.根据权利要求5所述的滤波器封装结构，键合层接合衬底顶面，键合层覆盖牺牲图形。

7.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其中，键合层与压电膜之间进一步具有第二空腔。

8.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其中，接触孔依次穿过封盖层和键合层暴露焊垫。

9.根据权利要求8所述的滤波器封装结构，在接触孔中具有金属接触塞。

10.一种滤波器封装方法，包括：

在衬底中形成第一牺牲层图形；

在第一牺牲层图形上形成压电膜；

在衬底上形成连接压电膜的焊垫；

在压电膜上形成第二牺牲层图形；

采用沉积或涂布工艺在第二牺牲层图形上形成键合层，键合层覆盖并接触焊垫顶面的一部分；

在键合层上形成有机材料的封盖层，所述有机材料低温时呈固态、加温后具有一定的流动性；

依次刻蚀封盖层和键合层形成暴露焊垫的接触孔。

11.根据权利要求10所述的滤波器封装方法，其中，键合层材料选自以下的任一或其组合：非晶硅、微晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

12.根据权利要求10所述的滤波器封装方法，其中，焊垫不含贵金属。

13.根据权利要求12所述的滤波器封装方法，形成焊垫的同时，密封环形成在焊垫外围并且此后键合层在密封环的外缘直接接触衬底，所述密封环不含贵金属。

14.根据权利要求13所述的滤波器封装方法，第二牺牲层图形不仅覆盖压电膜还进一步覆盖密封环与焊垫之间的衬底顶面。

15.根据权利要求10所述的滤波器封装方法，其中，形成键合层之后形成暴露第二牺牲层图形的开口，各向同性刻蚀一起去除第二牺牲层图形和第一牺牲层图形，在压电膜下方衬底中留下谐振空腔，在压电膜上方留下第二空腔。

16.根据权利要求10所述的滤波器封装方法，其中，形成封盖层之后采用加温加压的键合工艺使封盖层固化并与键合层键合起来。