[发明专利]一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法在审
申请号: | 201911243994.9 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110928012A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 何强民 | 申请(专利权)人: | 深圳市康盛光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333 |
代理公司: | 中山颖联知识产权代理事务所(普通合伙) 44647 | 代理人: | 钟作亮 |
地址: | 518110 广东省深圳市市辖区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调光 ito 导电 击穿 制备 方法 | ||
本发明涉及一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法,包括以下步骤:A、设备检查:先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁;以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊;B、基材处理:对基材表面进行脱气处理;C、镀ITO膜;D、镀SiO2保护层即可制得ITO导电膜。本发明的调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法,通过保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁,减少导电颗粒的产生;并在镀完ITO后再加镀一层薄的SiO2保护层,可减少98%以上的膜表面可能存在的ITO粉尘。本发明从源头上减少或杜绝调光膜表面的导电颗粒,能有效解决调光膜电击穿的问题。
技术领域
本发明涉及调光膜技术领域,具体涉及一种调光膜用ITO(铟锡氧化物)导电膜的防电击穿制备方法。
背景技术
PDLC液晶调光膜(Polymer Dispersed Liquid Crystal)是指由美国发明的液晶聚合物技术(PDLC)而制作的光学薄膜。这种技术主要是应用了向列态液晶和分子聚合物混合后,通过电场控制液晶的排列状态,使液晶折射率变化,而呈现透光和散光的宏观状态的切换。当PDLC液晶调光膜通电时(ON状态),在电场作用下液晶分子有序排列,分子聚合物和液晶材料折射率趋于一致,大幅抑制光散射,PDLC液晶调光膜呈现无色透明状态;当PDLC液晶调光膜断电时(OFF状态),液晶分子无序取向,分子聚合物和液晶材料折射率失配,PDLC液晶调光膜产生强烈光散射,外观呈乳白色或彩色或黑色,呈现为不透明。
调光膜的制备工艺一般为:先将导电层通过镀膜的方式加镀在基材上形成导电膜,然后将液晶混合物滴加在两片导电膜中,辊压后经固化制得调光膜。
客户在使用调光膜的过程中,在加上工作电压后(一般40-70V),经常在膜的表面会出现小黑点(如图5所示),严重影响了调光膜的使用率。分析小黑点产生的原因,主要是因为膜的表面有微小的导电颗粒,导致灌好液晶的调光膜正负极导通,导通处在加上电压后会因短路而击穿,击穿的地方就会发黑,这在调光膜上是绝对不允许的。虽然通过减小工作电压或增大液晶层的厚度可以改善电击穿的情况,但这样又会产生调光膜的全线透过率降低以及增加成本等问题。
如何制备出一种用于调光膜、能防止小黑点产生、且不影响调光膜的全线透过率的导电膜,成为本领域急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术的不足,提供一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法,该方法制得的ITO导电膜应用在调光膜上,能防止小黑点产生、且不影响调光膜的全线透过率。
本发明所采用的技术方案是:一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法,包括以下步骤:
A、设备检查:先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁;以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊;
B、基材处理:对基材表面进行脱气处理;
C、镀ITO膜:然后在基材表面镀ITO膜,加镀的ITO膜具有导电性;
D、镀SiO2保护层:采用溅射镀膜方式在ITO膜的表面加镀一层SiO2保护层,即可制得ITO导电膜。
优选的,对制得ITO导电膜可选择以下任意一种方式处理:1、可以直接进行收卷;2、采用双层贴合复卷机对镀膜后的ITO导电膜的SiO2保护层的表面贴上保护膜后收卷;3、可对贴上保护膜的ITO导电膜进行分切制得成品,并对检验合格的成品进行包装。ITO导电膜的后期处理可根据实际需要进行选择。
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