[发明专利]一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法在审
| 申请号： | 201911243994.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110928012A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 何强民 | 申请（专利权）人： | 深圳市康盛光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中山颖联知识产权代理事务所(普通合伙) 44647 | 代理人： | 钟作亮 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市市辖区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调光 ito 导电 击穿 制备 方法 | ||
1.一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、设备检查：先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁；以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊；
B、基材处理：对基材表面进行脱气处理；
C、镀ITO膜：然后在基材表面镀ITO膜；
D、镀SiO2保护层：采用溅射镀膜方式在ITO膜的表面加镀一层SiO2保护层，即可制得ITO导电膜。
2.根据权利要求1一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在镀完SiO2保护层后，在SiO2保护层的表面贴上保护膜。
3.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤A中定期对靶区进行彻底清洁、更换备件的具体操作为每次检修彻底清洁靶面，更换接地板，清洁POLYCOLD盘管、分子泵口区域；定期清洁卷绕端各传动辊的具体操作为每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊。
4.根据权利要求3所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，每次靶区的检修的具体时间为15-18小时。
5.根据权利要求3所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊的具体时间为45-54小时之间。
6.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤C的镀ITO膜工艺参数为：2条ITO靶，走速1m/min，DC1＝DC2＝5.8KW，氩氧比Ar/O2＝700/24sccm。
7.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤D的镀SiO2保护层的工艺参数为：2条SiO2靶，走速3m/min，MF＝15KW，氩氧比Ar/O2＝1000/120sccm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的SiO2保护层的厚度控制在10-15nm之间。
9.一种调光膜用ITO导电膜，其特征在于，根据权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备的产品。
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