[发明专利]用于哈希解决方案的半导体存储器件及其驱动方法在审

专利信息
申请号: 201911233688.7 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN111488119A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 金哲珉;李芝庸;朴钟闵;徐德浩;李光熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王凯霞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 解决方案 半导体 存储 器件 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种用于哈希解决方案的半导体存储器件,所述半导体存储器件包括:

哈希逻辑块,所述哈希逻辑块包括多个被配置为执行哈希函数的哈希逻辑;

存储单元块,所述存储单元块包括多个存储单元;以及

输入/输出控制结构,所述输入/输出控制结构被配置为基于要执行的所述哈希函数的特性更改所述哈希逻辑块与所述存储单元块之间的数据接口。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出控制结构包括:

输入/输出配置单元,所述输入/输出配置单元被配置为基于更改所述数据接口的指示,来更改所述哈希逻辑块与所述存储单元块之间的所述数据接口,所述指示基于要执行的所述哈希函数的所述特性,以及

输入/输出控制器,所述输入/输出控制器被配置为:

从主机接收更改所述数据接口的请求,以及

向所述输入/输出配置单元发送更改所述数据接口的所述指示。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出配置单元包括:

多条数据总线,所述多条数据总线被配置为在所述哈希逻辑块与所述存储单元块之间发送和接收数据;以及

输入/输出设置器逻辑电路,所述输入/输出设置器逻辑电路被配置为设置所述多条数据总线的输入/输出标识和输入/输出方向。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出设置器逻辑电路还被配置为:

基于更改所述数据接口的所述指示,设置所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出标识,以及

基于更改所述数据接口的所述指示,将所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出方向设置成写入或读取。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出配置单元还被配置为向所述输入/输出控制器发送更改所述数据接口的结果。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出控制器还被配置为:

从非易失性存储器加载所述数据接口的初始值,以及

向所述输入/输出配置单元发送所述数据接口的所述初始值。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出设置器逻辑电路还被配置为:

基于所述数据接口的所述初始值,设置所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出标识,以及

基于所述数据接口的所述初始值,将所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出方向设置成写入或读取。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出配置单元还被配置为向所述输入/输出控制器报告对所述数据接口进行初始化的结果。

9.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出控制器还被配置为:

将所述数据接口的值作为输入/输出配置值存储在非易失性存储器中,

响应于向所述半导体存储器件供电,从所述非易失性存储器加载所述输入/输出配置值,以及

向所述输入/输出配置单元发送所述输入/输出配置值。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件,其中,所述输入/输出设置器逻辑电路还被配置为:

基于所述输入/输出配置值,设置所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出标识,以及

基于所述输入/输出配置值,将所述多条数据总线中的每一条数据总线的所述输入/输出方向设置成写入或读取。

11.一种驱动用于哈希解决方案的半导体存储器件的方法,所述方法包括:

对哈希逻辑块与存储单元块之间的数据接口进行初始化;

从主机接收更改所述数据接口的请求,更改所述数据接口的所述请求是基于要执行的哈希函数的特性作出的;以及

基于所述请求更改所述数据接口。

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