[发明专利]用于交流驱动的钙钛矿LED及其制备方法在审
申请号: | 201911201116.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110767816A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 郭太良;胡海龙;李福山;鞠松蔓;陈耿旭 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 空穴传输层 交流驱动 发光层 阳极层 电子传输层 钙钛矿材料 溶液法制备 衬底基板 交流电源 依次层叠 阴极层 级层 可用 制备 发光 | ||
1.一种用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于,包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层;所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。
2.根据权利要求1所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述钙钛矿发光层采用钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜中的一种或两者的混合结构。
3.根据权利要求2所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜包括ABX3、A4BX6或AB2X5的结构体系,其中A为无机金属离子、胺类有机基团或二者的混合物;B为铅、锑、锰、碲或锡;卤素X为F、Br、I、Cl中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述钙钛矿发光层采用真空蒸镀法或溶液法制备。
5.根据权利要求4所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述溶液法包括旋涂法、浸涂法、刮涂法、浇铸法、丝网印刷、喷涂法和喷墨打印。
6.根据权利要求1所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述阳极层为通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜;所述的阴极为通过真空蒸镀法制备的金属材料。
7.根据权利要求6所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述金属材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种或合金和叠层结构。
8.根据权利要求1-7任一所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述衬底基板为刚性衬底基板或柔性衬底基板。
9.根据权利要求1-7任一所述的用于交流驱动的钙钛矿LED,其特征在于:所述交流电源的频率范围为1Hz-20MHz;交流电源的波形为正弦波、三角波、方波、脉冲中的一种。
10.一种用于交流驱动的钙钛矿LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜,得到阳极基板,并清洗;
步骤S2:在清洗后的阳极基板上采用溶液法沉积空穴传输层;
步骤S3:在空穴传输层上通过溶液法或真空蒸镀法沉积一层通过高温注入法合成的钙钛矿量子点溶液,得到钙钛矿发光层;
步骤S4:在钙钛矿发光层上沉积电子传输层,所述电子传输层为采用通过真空蒸镀法制备的TPBi;
步骤S5:在电子传输层上沉积阴极层,所述阴极层采用真空蒸镀法制备的Al/LiF,得到用于交流驱动的钙钛矿LED。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择