[发明专利]纳米晶、纳米晶组合物、发光装置及纳米晶的制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶，其特征在于，包括核和壳，所述核为ZnMgO，所述壳为金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述金属氧化物为氧化镁或者氧化铝。

3.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述核的平均尺寸为3～5nm，所述壳的平均厚度为1～5nm。

4.根据权利要求1～3任一项 所述的纳米晶，其特征在于，所述纳米晶的平均尺寸小于20nm，所述纳米晶用作电子传输材料或者电子注入材料。

5.一种纳米晶组合物，包括纳米晶，其特征在于，所述纳米晶为上述权利要求1～4任一项的纳米晶。

6.一种发光装置，包括发光二极管，所述发光二极管发光层和电子功能层，所述电子功能层包括权利要求1～3任一项 所述的纳米晶，所述纳米晶用作电子传输材料或者电子注入材料。

7.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：

将锌盐、镁盐、极性溶剂混合，并在第一温度下溶解，得到第一溶液；准备碱性的醇溶液；将所述碱性的醇溶液和所述第一溶液混合并进行反应，得到ZnMgO纳米晶；

将所述ZnMgO纳米晶和油溶性配体进行配体交换反应，得到表面包覆有油溶性配体的改性ZnMgO纳米晶，将所述改性ZnMgO纳米晶溶解于第一非极性溶剂中得到改性ZnMgO纳米晶溶液；

将烷基醇、脂肪酸盐和所述改性ZnMgO纳米晶溶液混合，并在第二温度下溶解，升高至第三温度下反应，得到包含壳为金属氧化物的ZnMgO纳米晶的产物体系。

8.根据权利要求7所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，将所述壳为金属氧化物的ZnMgO纳米晶从所述产物体系中分离纯化出来并溶解于第二非极性溶剂中得到混合液，将所述混合液和醇溶性配体进行配体交换反应，得到醇溶性的壳为金属氧化物的ZnMgO纳米晶。

9.根据权利要求8所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述醇溶性配体包括羟基。

10.根据权利要求9所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述醇溶性配体为6-羟基己酸根。

11.根据权利要求7～10任一项所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述油溶性配体包括中长链烷基酸根。

12.根据权利要求11所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，中长链烷基酸根的碳主链的碳原子个数为6～8。

13.根据权利要求7～10任一项所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述锌盐选自硝酸锌及其水合物、硫酸锌及其水合物和氯化锌及其水合物组成的组中的一种或多种，所述镁盐选自硫酸镁及其水合物、氯化镁及其水合物、硝酸镁及其水合物组成的组中的一种或多种。

14.根据权利要求7～10任一项所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述烷基醇与所述脂肪酸盐的摩尔比为10：1～10：4。

15.根据权利要求14所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述烷基醇的碳主链的碳原子个数为10～18。

16.根据权利要求7～10任一项所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述脂肪酸盐为脂肪酸镁或者脂肪酸铝。

17.根据权利要求16所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述脂肪酸盐的碳主链的碳原子个数为16～18。