[发明专利]鳍式晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成多个由对所述半导体衬底进行刻蚀形成的鳍体，各所述鳍体之间为浅沟槽，在所述浅沟槽中填充有第一场氧，所述第一场氧的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面使所述鳍体露出在所述第一场氧的顶部；

步骤二、形成伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖在各所述鳍体的对应区域的侧面或者各所述鳍体的对应区域的侧面和顶部表面；

步骤三、完成鳍式晶体管的做金属栅置换之前的工艺，之后进行形成单扩散区切断结构的工艺，形成所述单扩散区切断结构的分步骤包括：

步骤31、光刻定义出所述单扩散区切断结构的形成区域；

步骤32、去除所述单扩散区切断结构的形成区域内的所述伪栅极结构；

步骤33、以所述伪栅极结构的去除区域为自对准条件对所述鳍体的半导体衬底材料进行刻蚀形成多个第一凹槽；在俯视面上，各所述第一凹槽在对应的所述鳍体上隔离出对应的有源区；

步骤34、在所述第一凹槽中填充第二场氧；

步骤四、对所述单扩散区切断结构外的所述伪栅极结构进行金属栅置换。

2.如权利要求1所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底或SOI衬底。

3.如权利要求2所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中，所述第一场氧采用FCVD工艺沉积形成；在沉积所述第一场氧之后，还包括对所述第一场氧进行化学进行研磨和刻蚀工艺，使所述第一场氧的顶部表面回刻到低于所述鳍体的顶部表面。

4.如权利要求2所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：所述伪栅极结构包括叠加而成的第一栅介质层和多晶硅伪栅。

5.如权利要求4所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一栅介质层包括栅氧化层。

6.如权利要求4所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中，在形成所述鳍体之后以及形成所述第一场氧之前，还包括对所述鳍体进行截断的鳍体截断工艺，所述鳍体截断工艺将鳍体截断区域中的所述鳍体都去除。

7.如权利要求6所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：各所述鳍体呈条形结构。

8.如权利要求7所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：各所述鳍体截断区域中至少一条对应的所述鳍体被去除，各所述鳍体截断区域之间包括一条以上的所述鳍体。

9.如权利要求8所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：在俯视面上，所述伪栅极结构呈条形结构且所述伪栅极结构的条形结构和所述鳍体的条形结构垂直；一条所述鳍体和多个所述伪栅极结构相交。

10.如权利要求9所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：步骤三完成后中，两条所述单扩散区切断结构之间间隔有一个保留的所述伪栅极结构。

11.如权利要求2所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：步骤三中，所述金属栅置换之前的工艺包括：

在所述伪栅极结构的侧面形成侧墙；

在所述伪栅极结构两侧形成第二凹槽；

在所述伪栅极结构两侧的所述第二凹槽中填充嵌入式外延层；

在所述伪栅极结构两侧的所述嵌入式外延层中进行源漏注入分别形成源区和漏区；

形成第零层层间膜，所述第零层层间膜将所述伪栅极结构之间的区域填充并和所述伪栅极结构表面相平。

12.如权利要求11所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：在形成所述第零层层间膜之前还包括形成接触刻蚀停止层的步骤。

13.如权利要求11所述的鳍式晶体管的制造方法，其特征在于：所述鳍式晶体管为N型器件，所述嵌入式外延层的材料为SiP；或者，所述鳍式晶体管为P型器件，所述嵌入式外延层的材料为SiGe。