[发明专利]一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其包括基板；所述基板上依次设置有缓冲层和TFT功能层，其中所述TFT功能层包括依次设置在所述缓冲层上的有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层和源漏极层；其特征在于，其中所述源漏极层包括Data走线，所述源漏极层上设置有无机绝缘层，所述无机绝缘层上还依次设置有BITO层、钝化层和TITO层；

其中，所述源漏极层上方设置的所述BITO层中设置有第一贯穿开槽，所述钝化层会向下填充所述第一贯穿开槽并与所述无机绝缘层表面相接；

所述第一贯穿开槽在所述Data走线上的正投影位于所述Data走线内，且所述第一贯穿开槽位于相邻的两条Gate走线之间。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第一贯穿开槽的宽度小于或是等于设置在其下方的所述源漏极层的宽度。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述无机绝缘层采用的材料包括SiN和/或SiO。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述钝化层中设置有第二贯穿开槽，所述第二贯穿开槽贯穿所述钝化层以及部分所述无机绝缘层直至所述源漏极层的表面，所述TITO层通过所述第二贯穿开槽连接所述源漏极层。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述TFT阵列基板为LTPS型TFT阵列基板。

6.一种制备根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法；其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S1：在提供的基板上制备遮光层；

步骤S2：在所述基板上制备缓冲层和有源层；

步骤S3：在所述缓冲层上制备栅极绝缘层和栅极层；

步骤S4：在所述栅极绝缘层上形成层间绝缘层；

步骤S5：在所述层间绝缘层上形成源漏极层；

步骤S6：在所述层间绝缘层上形成无机绝缘层，在所述无机绝缘层上形成BITO层；

步骤S7：在所述无机绝缘层上形成钝化层；以及

步骤S8：在所述钝化层上形成TITO层。

7.根据权利要求6所述的制备方法；其特征在于，其中在所述步骤S6中，在形成所述BITO层后，还会对位于所述源漏极层上方的BITO层进行贯穿开槽处理以形成一第一贯穿开槽；而在所述步骤S7中，形成的所述钝化层会向下填充所述第一贯穿开槽并与所述无机绝缘层表面相接。

8.一种显示面板；其特征在于，包括根据权利要求1所述的TFT阵列基板。

9.根据权利要求8所述的显示面板；其特征在于，其中所述TFT阵列基板上设置的所述源漏极层上方设置的所述BITO层中设置有第一贯穿开槽，所述钝化层会向下填充所述第一贯穿开槽并与所述无机绝缘层表面相接；

其中所述阵列基板中的所述源漏极层用作Data走线，而其上方设置的所述BITO层用作Com电极。