[发明专利]一种高效二极管制备酸洗装置有效
申请号: | 201911166069.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111048446B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 孙慰 | 申请(专利权)人: | 东台市高科技术创业园有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人: | 姜玲玲 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 二极管 制备 酸洗 装置 | ||
本发明涉及电子器件制造技术领域,且公开了一种高效二极管制备酸洗装置,包括外箱体、滑行平台、进液管、进水口、出水口和酸液排出口,所述外箱体的背面与滑行平台的正面固定连接,所述进液管固定安装在外箱体与振动箱体的右上角处。通过酸洗固定架和酸洗盘之间的设置,使得可以将多个存放二极管的酸洗盘固定在酸洗固定架上,并使其一起伸入到酸液中进行酸洗,增加一次性酸洗二极管的数量,增加酸洗效率,同时通过卡栓与酸洗固定架上开设的锁孔的配合设置,利用简单的结构对酸洗盘进行固定,增加操作人员的安装效率,并避免复杂的结构无法全部为抗腐蚀材料制成,提高了装置的抗腐蚀性,增加装置的使用年限,降低维修成本。
技术领域
本发明涉及电子器件制造技术领域,具体为一种高效二极管制备酸洗装置。
背景技术
二极管又称晶体二极管,它是一种具有一个零件号接合的两个端子的电子器件,且是只往一个方向传送电流的电子零件,二极管的制备过程中为了对芯片P-N结边缘进行化学腐蚀,改善机械损伤,祛除表面吸附的杂质,降低表面电场,使P-N结的击穿首先从体内发生,并获得理论值接近的反向击穿电压和极小表面漏电流需要进行酸洗,目前现有酸洗装置对二极管进行酸洗,其包括酸洗盘和酸洗槽,酸洗盘设置于酸洗槽上,酸洗盘上设置有漏酸孔,将洗涤二极管表面的酸液流入到酸洗槽,而后进行回收利用,但其存在一些不足,如下:
虽然加强了酸液的流动性,但导致酸洗液与二极管的接触反应时间太短,酸洗效率不足,同时加大了酸液中酸的挥发速率,降低酸液的浓度,进一步降低酸洗效率,同时增加了酸液的制备成本。
同样现有技术中存在一些技术,如专利201810569549.0中提到的一种半导体二极管酸洗处理系统,其通过将酸洗箱2放置于箱体1中,并利用摆动模块3使酸洗箱2在酸液中进行摆动并对酸液进行搅动,增加酸洗效率,但摆动模块3的结构较为复杂,对其制造的材料选择较为困难,并且长期放置于酸液中,使得酸液对其结构边缘造成腐蚀,容易造成结构崩溃,进行影响酸洗效率,增大维修成本。
发明内容
本发明提供了一种高效二极管制备酸洗装置,具备自动化程度高,结构简单,抗腐蚀强的优点,解决了上述背景技术中提到酸洗效率不足,并容易造成结构腐蚀的问题。
本发明提供如下技术方案:一种高效二极管制备酸洗装置,包括外箱体、滑行平台、进液管、进水口、出水口和酸液排出口,所述外箱体的背面与滑行平台的正面固定连接,所述进液管固定安装在外箱体与振动箱体的右上角处,所述酸液排出口开设在振动箱体的右下角,所述进水口位于外箱体底部的右侧,所述出水口位于外箱体底部的左侧,所述外箱体内腔的顶部固定安装有振动箱体,且两者具有相同的圆心,所述外箱体的顶部活动套接有密封盖,所述密封盖的底面固定连有酸洗固定架,所述振动箱体的左侧外壁上固定连接有振动器,且穿过外箱体并与外箱体的外侧固定连接,所述酸洗固定架的底部固定卡接有酸洗盘,所述密封盖上表面的正中心固定连接有提升杆,且提升杆为L型,所述提升杆的一端固定连接有气动伸缩杆,所述滑行平台上活动卡接有滑行板,所述滑行板的上表面与气动伸缩杆的底面固定连接,所述滑行板的上表面且位于气动伸缩杆的右侧固定安装有固定面板,所述固定面板上开设有条形槽,且提升杆从条形槽中穿过,所述滑行平台上且位于滑行板的正下方活动套接有丝杠,所述滑行板的底部开设有螺纹孔且与丝杠螺纹连接,所述丝杠的左端固定连接有伺服电机,所述进液管的顶端固定连接有酸液储存罐,所述进液管上固定安装有耐腐蚀排液阀,所述进液管上且位于酸液储存罐和耐腐蚀排液阀之间固定套装有加热管,所述振动箱体内腔的底部固定安装有冷却水管。
优选的,所述酸洗固定架包括四方架和平行卡槽,所述四方架由四根竖直杆和八根平行杆组成,所述平行卡槽均匀固定安装在四方架的两侧上,且两两之间间距相等。
优选的,所述酸洗盘包括盘体和卡栓,所述盘体四周壁上的上半部分及底面开设有均匀通孔,所述盘体的正面与背面固定安装有把手,所述盘体正面的两侧开设有L型槽,所述L型槽中活动卡接有卡栓,所述酸洗固定架正面两根竖直杆上开设有均匀的卡孔,且可与卡栓相配合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造