[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一N型硅片，在所述N型硅片的上表面制备硅线阵列，所述硅线阵列中的硅线的长度为2-4微米，所述硅线的直径为400-800纳米，相邻硅纳米线的间距为800-1600纳米；

2)接着对所述N型硅片进行钝化处理；

3)第一P3HT层的制备：在压强为1.1×10⁵Pa的密闭空腔内，将步骤2)得到的所述N型硅片上滴涂第一P3HT溶液，并静置2-3分钟，在静置的过程中将密闭空腔内的压强从1.1×10⁵Pa逐渐升至1.4×10⁵Pa，接着在压强为1.4×10⁵Pa条件下旋涂1-2分钟，然后进行第一次退火处理，形成第一P3HT层；

4)第二P3HT层的制备：在压强为1.4×10⁵Pa的密闭空腔内，将步骤3)得到的所述N型硅片上滴涂第二P3HT溶液，并静置2-3分钟，在静置的过程中将密闭空腔内的压强从1.4×10⁵Pa逐渐升至1.6×10⁵Pa，接着在压强为1.6×10⁵Pa条件下旋涂1-2分钟，然后进行第二次退火处理，形成第二P3HT层；

5)第三P3HT层的制备：在压强为1.6×10⁵Pa的密闭空腔内，将步骤4)得到的所述N型硅片上滴涂第三P3HT溶液，并静置2-3分钟，在静置的过程中将密闭空腔内的压强从1.6×10⁵Pa逐渐升至1.8×10⁵Pa，接着在压强为1.8×10⁵Pa条件下旋涂1-2分钟，然后进行第三次退火处理，形成第三P3HT层；

6)PEDOT:PSS层的制备：在压强为1.2×10⁵Pa的密闭空腔内，将步骤5)得到的所述N型硅片上滴涂PEDOT:PSS溶液，并静置2-3分钟，在静置的过程中将密闭空腔内的压强从1.2×10⁵Pa逐渐升至1.6×10⁵Pa，接着在压强为1.6×10⁵Pa条件下旋涂1-2分钟，然后进行第四次退火处理，形成PEDOT:PSS层；

7)在步骤6)得到的所述N型硅片上制备正面电极；

8)在步骤7)得到的所述N型硅片的背面制备碳酸铯/聚乙烯亚胺复合层；

9)在步骤8)得到的所述N型硅片的背面制备背面电极；

其中，在所述步骤3)中，第一P3HT溶液中P3HT的浓度为1-1.5mg/ml，旋涂所述第一P3HT溶液的转速为2000-2500转/分钟，所述第一次退火处理的具体步骤为：在压强为1.4×10⁵Pa条件下，在130-140℃的条件下热处理5-10分钟；

其中，在所述步骤4)中，第二P3HT溶液中P3HT的浓度为0.5-1mg/ml，旋涂所述第二P3HT溶液的转速为3000-3500转/分钟，所述第二次退火处理的具体步骤为：在压强为1.6×10⁵Pa条件下，在140-150℃的条件下热处理10-15分钟。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，在所述N型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅线阵列。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，对所述N型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述N型硅片在HF中浸泡5-10分钟，然后将氢化的所述N型硅片进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述N型硅片进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述N型硅片。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤5)中，第三P3HT溶液中P3HT的浓度为0.1-0.5mg/ml，旋涂所述第三P3HT溶液的转速为4000-4500转/分钟，所述第三次退火处理的具体步骤为：在压强为1.8×10⁵Pa条件下，在145-155℃的条件下热处理15-20分钟。