[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911157716.1 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112838103B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 陈义鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 王云红;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,所述制备方法,包括:
在基底上形成阵列层;
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素,包括:
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的第一电极和位于第二显示区域的多个第三电极,多个第三电极呈阵列式排布,所述第一电极和所述第三电极通过一次构图工艺形成;
在所述第一电极上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口,在所述第三电极上形成第二像素定义层,所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口,所述第一像素定义层和所述第二像素定义层通过一次掩膜工艺形成;
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层,所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫;在所述第一开口内形成第一发光结构层,在所述第二开口内形成第二发光结构层,所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成;或者,在所述第一开口内形成第一发光结构层,在所述第二开口内形成第二发光结构层,所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成;在所述第二像素定义层上形成隔断结构层,所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫;
沉积透明导电薄膜,在第一显示区域形成第二电极,在第二显示区域形成第四电极,所述第二电极与所述第四电极同时形成,在第二显示区域,所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,
形成所述第二像素定义层的材质包括正性有机材料,形成所述第一隔离垫的材质包括负性有机材料;或者,
形成所述第二像素定义层的材质包括负性有机材料,形成所述第一隔离垫的材质包括正性有机材料。
4.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示区域和第二显示区域,在第二显示区域,每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,每个像素单元的开口率为15%~25%,红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素呈“品”字型排列,相邻两个子像素的间距为26.4μm~32μm,所述显示面板还包括:
基底;
阵列层,设置在所述基底上;
发光功能层,设置在所述阵列层背离所述基底的一侧上,所述发光功能层包括位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于所述第二显示区域的PMOLED子像素,其中,
多个PMOLED子像素呈阵列式排布,PMOLED子像素包括第三电极,所述第三电极上设置有第二像素定义层,所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口,所述第二像素定义层上设置有隔断结构层,所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫,PMOLED子像素还包括设置在所述第二开口内且位于所述第三电极上的第二发光结构层以及设置在所述隔断结构层上的透明导电薄膜,所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层包括位于第一显示区域的薄膜晶体管,AMOLED子像素包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极,所述第一电极上设置有第一像素定义层,所述第一像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口,所述第一像素定义层上设置有若干个位于非所述第一开口区域的第二隔离垫,所述第二隔离垫与所述第一隔离垫同时形成,AMOLED子像素还包括设置在所述第一开口内且位于所述第一电极和所述第一像素定义层上的第一发光结构层,以及设置在所述第一发光结构层上的第二电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911157716.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率控制方法及设备
- 下一篇:耐水阻燃电缆料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的