[发明专利]一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法

权利要求书

1.一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：包括以下的步骤：

S1：在SiC外延片上完成SiC芯片的制备，SiC芯片的背面金属层为复合金属层，芯片正面各个管芯之间存在划片道；

S2：将SiC芯片贴到划片膜上，芯片正面与划片膜紧密接触,划片膜绷紧置于划片框上；

S3:测量SiC芯片和划片膜的总厚度；

S4:在SiC芯片与正面划片道位置对应的背面金属层上，制作一个贯穿整个复合金属层的缺口，使得复合金属层整齐断开；

所述缺口的形成方式为在SiC芯片的背面用光刻胶遮挡，留下划片道对应位置处不做遮挡，用金属腐蚀液将划片道对应位置的背面金属层腐蚀掉形成沟槽，去除背面遮挡用的光刻胶；

S5:对芯片进行激光划片和裂片，将芯片分开。

2.根据权利要求1所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述步骤S4中，所述缺口的另一种形式方式为用砂轮刀片沿芯片正面划片道对应位置的背面金属层划过，将背面金属层切开，形成切口。

3.根据权利要求1所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述步骤S4中，所述缺口的另一种形式方式为用激光对SiC芯片进行聚焦，找到激光的焦点，用激光沿芯片正面划片道对应位置的背面金属层进行扫描，将复合金属层烧蚀出切口。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述切口为“V”形，所述切口的深度不小于SiC芯片背面金属层的厚度，所述切口的宽度小于正面划片道的宽度。

5.根据权利要求4所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述SiC芯片背面金属层的厚度为1～5μm，正面划片道的宽度为10～150μm，所述切口的宽度为1～5μm，所述切口的深度为5～10μm。

6.根据权利要求1所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述沟槽的深度等于SiC芯片背面金属层的厚度，所述沟槽的宽度小于正面划片道的宽度。

7.根据权利要求6所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述SiC芯片背面金属层的厚度为1～5μm，正面划片道的宽度为10～150μm，所述沟槽的宽度为1～5μm，所述沟槽的深度为1～5μm。

8.根据权利要求2所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述步骤S4中，砂轮刀片的切割速度为1～5mm/s，切割次数为1～3次。

9.根据权利要求3所述的使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，其特征在于：所述步骤S4中，激光脉冲频率为50～100KHz，扫描速度为100～400mm/s，功率为1～2W，扫描次数为1～3次。