[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
| 申请号： | 201911155129.9 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111223795A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 山口达也;菊池康晃;吉井弘治;中嶋亘;马场则夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 | ||
本发明提供热处理装置和热处理方法。本发明的一个方式的热处理装置包括：收纳基片的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；对上述处理容器与上述加热装置之间的空间吹出冷却流体的多个吹出装置；和开闭件，其同时开闭上述多个吹出装置的至少2个以上，与各上述吹出装置对应地形成有隙缝。本发明中，从低温至高温的温度控制性提高。
技术领域
本发明涉及热处理装置和热处理方法。
背景技术
已知一种技术，其中在对多个基片一并进行热处理的竖式热处理装置中，具有设置于处理容器的周围的加热装置以及对处理容器与加热器之间吹出冷却气体的冷却装置(例如参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-75890号公报
专利文献2：日本特开平7-263369号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种在从低温至高温的温度控制性提高的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的热处理装置包括：收纳基片的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；对上述处理容器与上述加热装置之间的空间吹出冷却流体的多个吹出装置；和开闭件，其同时开闭上述多个吹出装置的至少2个以上，与各上述吹出装置对应地形成有隙缝。
发明效果
依照本发明，从低温至高温的期间温度控制性提高。
附图说明
图1是表示热处理装置的构成例的概略图(1)。
图2是表示热处理装置的构成例的概略图(2)。
图3是图1的热处理装置中的支流部的入口的说明图。
图4是图1的热处理装置中的开闭组合件的说明图。
图5是表示用开闭件覆盖着支流部的入口的状态的图。
图6是表示送风机的转速与风量的关系的图。
图7是表示热处理装置的动作的一例的图。
图8是表示实验例1的温度特性和加热器输出特性的图。
图9是表示实验例2的温度特性和加热器输出特性的图。
图10是表示实验例3的温度特性和加热器输出特性的图。
图11是表示实验例4的温度特性和加热器输出特性的图。
图12是表示实验例5的温度特性和加热器输出特性的图。
附图标记说明
1 热处理装置
10 处理容器
20 加热装置
30 吹出装置
31 支流部
32 吹出孔
33 蝶阀
40 流体流路
42 热交换器
43 送风机
50 开闭组合件
51 开闭件
51a 隙缝
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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