[发明专利]一种键合设备用的质量监测控制器及其集总控制方法在审
申请号: | 201911150206.1 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110943011A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 黎明森;程炜;沈宣佐;班华志 | 申请(专利权)人: | 深圳市德沃先进自动化有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 任志龙 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 键合设 备用 质量 监测 控制器 及其 控制 方法 | ||
1.一种键合设备用的质量监测控制器,其特征是:包括用于各种工艺模块之间高速配合的第三方从站模块,所述第三方从站模块与用于规划焊线过程各种工艺模块广义运动的运控规划器进行双向通讯,所述第三方从站模块包括,
FS力传感器接口,用于获取键合设备焊接时的实时接触力信息;
Z编码器接口,用于获取键合设备的Z轴的位置信息、速度信息以及加速度信息;
USG超声接口,用于获取超声的状态信息和把超声的实时规划信息传送至超声波发生器;
EFO高压打火接口,用于获取打火的状态信息和把点火的实时指令发送至EFO控制器;
WCL线夹接口,用于把线夹开合的实时指令发送至线夹驱动单元;
LED光源接口,用于把光源与相机实时指令发送至LED光源驱动单元;
所述FS力传感器接口、所述Z编码器接口、所述USG超声接口、所述EFO高压打火接口、所述线夹接口和所述LED光源接口内置于所述第三方从站模块内。
2.根据权利要求1所述的一种键合设备用的质量监测控制器,其特征是:所述第三方从站模块内置有实时通讯接口,以用于集中采集每个工艺模块的过程数据。
3.根据权利要求2所述的一种键合设备用的质量监测控制器,其特征是:所述实时通讯接口包括CAN接口和BISS接口。
4.一种键合设备用的质量监测控制器的集总控制方法,其特征是:包括权利要求1-3所述的一种键合设备用的质量监测控制器,所述第三方从站模块经所述FS力传感器接口、所述Z编码器接口、所述USG超声接口、所述EFO高压打火接口、所述WCL线夹接口和所述LED光源接口获取各个工艺模块的过程数据,再通过COE协议把采集的每个工艺模块的过程数据转换为实时控制参量并映射到运控规划器内,实时更新运控规划器内的数据。
5.根据权利要求4所述的一种键合设备用的质量监测控制器的集总控制方法,其特征是:所述第三方从站模块的实时总线更新频率可设定在200us-100us之间。
6.根据权利要求4所述的一种键合设备用的质量监测控制器的集总控制方法,其特征是:所述第三方从站模块将所述Z编码器接口获取的键合设备的Z轴实时的位置信息、速度信息以及加速度信息映射到运控规划器内,运控规划器将数据按时序处理形成工艺规划,为各种工艺模块的运动变化趋势提供规划参考标准。
7.根据权利要求4所述的一种键合设备用的质量监测控制器的集总控制方法,其特征是:各个工艺模块的过程数据经所述CAN接口或者所述BISS接口传送至所述第三方从站模块内,所述第三方从站模块通过COE协议把各种工艺模块的过程数据转换为实时控制参量并映射到运控规划器内。
8.根据权利要求4所述的一种键合设备用的质量监测控制器的集总控制方法,其特征是:所述第三方从站模块分别与所述FS力传感器接口、所述Z编码器接口、所述USG超声接口、所述EFO高压打火接口、所述WCL线夹接口、所述LED光源接口和运控规划器进行高速串行通信。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造