[发明专利]一种用于原子层沉积的样品台和方法

权利要求书

1.一种用于原子层沉积的样品台，其特征在于，所述样品台包括：

本体；

第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；

第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片；

第三硅片，所述第三硅片设置所述第二硅片的下方，且所述第三硅片为第三尺寸的矩形硅片，其中，所述第三硅片与所述第一硅片、所述第二硅片属于嵌套结构，在所述第三硅片的四周分别具有一矩形孔；

限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配。

2.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述第一硅片、所述第二硅片与所述第三硅片逐步凹陷呈阶梯状分布。

3.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述本体的侧面具有一矩形缺口，其中，所述矩形缺口的尺寸大于样品的尺寸。

4.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述第一尺寸、所述第二尺寸、所述第三尺寸依次减小。

5.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述矩形孔的大小为10mm×10mm。

6.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述本体与所述限位条采用不锈钢、铝、或石墨材质中任一种。

7.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述本体直接与真空腔体内的加热盘接触，且所述本体可以随所述加热盘进行升降、旋转。

8.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述限位条的数量与所述矩形孔的个数相同，且所述限位条的数量可设置一个或M个，其中，M为正整数。

9.一种用于原子层沉积的方法，其特征在于，所述方法包括：

将矩形或小于第三尺寸的矩形样品放入本体的第三硅片上，根据所述样品的尺寸选择限位条将所述样品固定；

将所述本体放置在加热盘上，保持所述本体处于水平状态；

向真空腔体中通入前驱体源和载气，使所述前驱体源与样品进行原子层沉积获得薄膜样品。