[发明专利]发光二极管和发光二极管制备方法有效
| 申请号： | 201911119307.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110854246B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王晟 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 石慧 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底(10)；
缓冲层(20)、氮化镓层(30)、N型半导体层(40)以及P型半导体层(60)，在所述衬底(10)表面依次层叠设置；
多量子阱层(50)，层叠设置于所述N型半导体层(40)与所述P型半导体层(60)之间；
所述多量子阱层(50)包括至少一个子层结构(501)，所述子层结构(501)设置于所述N型半导体层(40)远离所述氮化镓层(30)的表面；
每个所述子层结构(501)包括第一量子阱结构(510)以及多个第二量子阱结构(520)，所述第一量子阱结构(510)设置于所述N型半导体层(40)远离所述氮化镓层(30)的表面，所述多个第二量子阱结构(520)依次设置于所述第一量子阱结构(510)远离所述N型半导体层(40)的表面，且每个所述第二量子阱结构(520)的厚度小于所述第一量子阱结构(510)的厚度；
所述第一量子阱结构(510)包括：
量子垒层(511)，设置于所述N型半导体层(40)远离所述氮化镓层(30)的表面；
第一势阱层(512)，设置于所述量子垒层(511)远离所述N型半导体层(40)的表面；
所述量子垒层(511)为AlmInnGa1-m-nN，所述第一势阱层(512)为InxGa1-xN；
每个所述第二量子阱结构(520)包括：
第一势垒层(521)，设置于所述第一势阱层(512)远离所述量子垒层(511)的表面；
第二势阱层(522)，设置于所述第一势垒层(521)远离所述第一势阱层(512)的表面；
所述第一势垒层(521)为InyGa1-yN，所述第二势阱层(522)为InxGa1-xN；
所述第一势阱层(512)、所述第一势垒层(521)以及所述第二势阱层(522)的厚度小于所述量子垒层(511)。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述AlmInnGa1-m-nN中0m0.6，0n0.2；
所述InxGa1-xN中0.2x0.22。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述量子垒层(511)的厚度为100nm～140nm；
所述第一势阱层(512)的厚度为2nm～6nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述InyGa1-yN中0y0.1；
所述InxGa1-xN中0.2x0.22。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一势垒层(521)的厚度为4nm～8nm；
所述第二势阱层(522)的厚度为2nm～6nm。
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