[发明专利]发光二极管芯片以及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底(10)，所述衬底(10)表面设置有缓冲层(20)；

无掺杂氮化镓层(30)，设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；

所述无掺杂氮化镓层(30)包括多个子氮化镓层(310)，所述多个子氮化镓层(310)依次设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；

每个所述子氮化镓层(310)包括第一无掺杂氮化镓子层(311)与第二无掺杂氮化镓子层(312)，所述第一无掺杂氮化镓子层(311)设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述第一无掺杂氮化镓子层(311)远离所述缓冲层(20)的表面；

所述第一无掺杂氮化镓子层(311)包括多个三维岛状结构(3111)，所述多个三维岛状结构(3111)依次排列设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述多个三维岛状结构(3111)远离所述缓冲层(20)的表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)为二维层状结构，设置于所述多个三维岛状结构(3111)远离所述缓冲层(20)的表面。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：

氮化硅层(313)，设置于所述第二无掺杂氮化镓子层(312)远离所述第一无掺杂氮化镓子层(311)的表面。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：

第三无掺杂氮化镓子层(314)，设置于所述氮化硅层(313)远离所述第二无掺杂氮化镓子层(312)的表面。

5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：

热处理层(315)，设置于所述第三无掺杂氮化镓子层(314)远离所述氮化硅层(313)的表面。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个子氮化镓层(310)中相邻两个所述子氮化镓层(310)的所述第一无掺杂氮化镓子层(311)设置于所述热处理层(315)远离所述第三无掺杂氮化镓子层(314)的表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述无掺杂氮化镓层(30)包括5个～50个所述子氮化镓层(310)。

8.一种发光二极管芯片制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供衬底(10)，所述衬底(10)表面制备缓冲层(20)；

S20，在温度1070℃～1110℃与压力250torr～450torr的环境下，根据第一预设温度与第一预设压力在所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面制备第一无掺杂氮化镓子层(311)；

S30，在温度1100℃～1140℃与压力100torr～250torr的变温变压环境下，在所述第一无掺杂氮化镓子层(311)远离所述缓冲层(20)的表面制备第二无掺杂氮化镓子层(312)；

S40，在温度1100℃～1140℃与压力100torr～250torr的环境下，根据第二预设温度与第二预设压力在所述第二无掺杂氮化镓子层(312)远离所述第一无掺杂氮化镓子层(311)的表面制备氮化硅层(313)；

S50，在温度1100℃～1140℃与压力100torr～250torr的环境下，根据第三预设温度与第三预设压力在所述氮化硅层(313)远离所述第二无掺杂氮化镓子层(312)的表面制备第三无掺杂氮化镓子层(314)；

S60，在温度1130℃～1170℃与压力100torr～250torr的环境下，根据第四预设温度与第四预设压力在所述第三无掺杂氮化镓子层(314)远离所述氮化硅层(313)的表面制备热处理层(315)。