3D NAND存储器设备(200)包括:衬底(202);在衬底(202)上的、包括阶梯结构(212)的交替堆叠层(216);垂直延伸穿过交替堆叠层(216)的阻挡结构(124、235)。交替堆叠层(216)包括介电质交替堆叠(214)和导体/介电质交替堆叠(210)。介电质交替堆叠(214)包括:至少被阻挡结构(124、235)环绕的介电层对。导体/介电质交替堆叠(210)包括导体/介电层对。存储器设备(200)还包括沟道结构(218)和狭缝结构(228)、蚀刻停止层(226)以及第一接触,所述沟道结构与狭缝结构中的每一者垂直延伸穿过导体/介电质交替堆叠(210),所述蚀刻停止层(226)位于沟道结构以下各项中的每一项与各第一接触中的一个相接触:位于阶梯结构(212)中的导体/介电质交替堆叠(210)中的导体层(206)、蚀刻停止层(226)、以及狭缝结构(228)。
3D NAND存储器设备(200)包括:衬底(202);在衬底(202)上的、包括阶梯结构(212)的交替堆叠层(216);垂直延伸穿过交替堆叠层(216)的阻挡结构(124、235)。交替堆叠层(216)包括介电质交替堆叠(214)和导体/介电质交替堆叠(210)。介电质交替堆叠(214)包括:至少被阻挡结构(124、235)环绕的介电层对。导体/介电质交替堆叠(210)包括导体/介电层对。存储器设备(200)还包括沟道结构(218)和狭缝结构(228)、蚀刻停止层(226)以及第一接触,所述沟道结构与狭缝结构中的每一者垂直延伸穿过导体/介电质交替堆叠(210),所述蚀刻停止层(226)位于沟道结构以下各项中的每一项与各第一接触中的一个相接触:位于阶梯结构(212)中的导体/介电质交替堆叠(210)中的导体层(206)、蚀刻停止层(226)、以及狭缝结构(228)。