[发明专利]一种改善金属走线底切现象的制备方法

说明书

本发明提供一种改善金属走线底切现象的制备方法，通过在金属走线成膜制程中增加等离子清洗工艺，增加被清洗金属膜层表面的纳米级原子表面积，消除金属膜层已有缺陷，使后续成膜的金属膜层获得更好的表面接触面积和金属扩散融合性能，以减小不同膜层金属的蚀刻速率差异，改善现有制程工艺中金属走线易出现底切的问题。

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种改善金属走线底切现象的制备方法。

背景技术

为更好的适应市场需求，使显示装置画面细节更丰富，研发具有高解析度的显示装置已经成为显示技术领域的主要研究方向之一。在显示装置中，各子像素组成的各像素点的密集程度会直接对分辨率造成影响，继而影响显示装置的画面细节还原程度。所以，为使显示装置具有高解析度，须使显示装置的像素达到足够的密集程度，才能保证满足解析度要求。

但在显示装置中，像素数目越密集，对显示装置的制备工艺和性能要求就越高。一方面是由于像素数目较密集，显示装置为保证各像素显示的实时性就需要更快的响应速率。另一方面是由于像素数目越密集，显示装置在制备过程中就会涉及越多精细走线的制备，若走线制备精度不够，就会对显示性能造成影响。

现有的铝制程技术由于采用铝材料参与显示装置的制程，在走线不太密集时还可满足制备要求，但在走线精度要求较高，走线较精细、密集的情况下，铝制程技术就会暴露出大量问题。因此，在保证满足导电能力的情况下，采用铜制程工艺替代铝制程工艺，以制备出更细更薄的金属走线，从而降低断线机率。MoCu膜层是铜制程工艺中最常见的结构，但这种结构在使用铜酸进行蚀刻时易出现底切现象，影响走线的制备精度，造成电性异常的问题，因此如何解决MoCu膜层的底切问题就成为铜制程工艺中的一项关键技术。

发明内容

本发明提供一种改善金属走线底切现象的制备方法，能够增加金属走线表面的纳米级原子表面积，并消除膜层表面不稳定的缺陷，使后续成膜的金属膜层能获得更好的表面接触面积和金属扩散融合性能，以解决现有制备工艺中金属走线易出现底切现象，影响产品良率的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种改善金属走线底切现象的制备方法，包括以下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底表面制备金属阻挡层；

S20：对所述金属阻挡层表面进行等离子清洗工艺处理；

S30：在被清洗的所述金属阻挡层表面制备金属导电层；其中，所述金属阻挡层与所述金属导电层形成待蚀刻的第一金属层；

S40：对所述第一金属层进行黄光制程，以在所述第一金属层上形成电极图形。

由于所述金属阻挡层在经等离子清洗工艺处理后，会活化表面，当所述金属导电层制备于所述金属阻挡层表面时，所述金属导电层与所述金属阻挡层之间会相互扩散形成致密合金层，降低所述金属阻挡层与所述金属导电层的蚀刻速率差异，进而改善底切现象。

根据本发明一优选实施例，所述金属阻挡层材料包括Mo、Ti、W、Cr、Mn、MoTi、CuMgAl、CuGa等较难熔金属，以增加所述金属导电层的附着力；所述金属导电层材料为Cu、Au、Al等导电性能较好的金属，所述金属导电层与所述金属导电层采用物理气相沉积方法制备，包括溅射镀膜、真空蒸镀。

根据本发明一优选实施例，所述等离子体清洗处理采用氩气、氮气、氟化氮、四氟化氮、氢气、氧气的其中一种作为清洗介质。

根据本发明一优选实施例，所述金属阻挡层与所述金属导电层均在PVD高真空环境中制备。

根据本发明一优选实施例，所述等离子清洗工艺在高真空环境中制备。

根据本发明一优选实施例，所述等离子清洗工艺在中真空环境中制备。