[发明专利]一种改善金属走线底切现象的制备方法

权利要求书

1.一种改善金属走线底切现象的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底表面制备金属阻挡层；

S20：对所述金属阻挡层表面进行等离子清洗工艺处理；

S30：在被清洗的所述金属阻挡层表面制备金属导电层；其中，所述金属阻挡层与所述金属导电层形成待蚀刻的第一金属层，所述金属导电层表面与所述金属阻挡层表面粘着，形成致密合金层；

S40：对所述第一金属层进行黄光制程，以在所述第一金属层上形成电极图形；

其中，所述金属阻挡层表面经等离子清洗处理，以降低与所述金属导电层之间的蚀刻速率差异，改善底切现象。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层材料采用Mo、Ti、W、Cr、Mn、Cu、Mg、Al、Ga的其中一种或多种组合。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属导电层材料为Cu、Al、Au的其中一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子清洗工艺采用氩气、氮气、氟化氮、四氟化氮、氢气、氧气的其中一种作为清洗介质。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层与所述金属导电层均在高真空环境中制备。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子清洗工艺在高真空环境中制备。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子清洗工艺在中真空环境中制备。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层还包括第一金属阻挡层和第二金属阻挡层，所述制备方法包括以下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底表面制备第一金属阻挡层，并对所述第一金属阻挡层进行等离子清洗工艺处理；

S20：在所述第一金属阻挡层表面制备金属导电层，并对所述金属导电层进行等离子清洗工艺处理；

S30：在所述金属导电层表面制备第二金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层、所述金属导电层以及所述第二金属阻挡层形成待蚀刻的第一金属层；

S40：对所述第一金属层进行黄光制程，以在所述第一金属层上形成电极图形。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层表面制备有第二金属层，所述制备方法还包括以下步骤：

S50：在所述第一金属层表面制备第一金属阻挡层，并对所述第一金属阻挡层进行等离子清洗工艺处理；

S60：在所述第一金属阻挡层表面制备第一金属导电层，并对所述第一金属导电层进行等离子清洗工艺处理；

S70：在所述第一金属导电层表面制备第二金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层、所述第一金属导电层以及所述第二金属阻挡层形成待蚀刻的第二金属层；

S80：对所述第二金属层进行黄光制程，以在所述第二金属层上形成电极图形。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间设置有绝缘层及图形化的有源层。