[发明专利]屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法,其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成沟槽，并在所述沟槽的底部和侧壁形成第一介质层；

在所述沟槽内形成屏蔽栅，并且所述屏蔽栅的上表面低于所述第一介质层的上表面；

在所述屏蔽栅上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述第一介质层的侧壁；

刻蚀所述第一介质层至沟槽侧壁的预定高度位置；

去除所述牺牲层；

在所述屏蔽栅和所述沟槽侧壁上形成第二介质层；以及

在所述沟槽内形成栅极。

2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述牺牲层为氮化硅层，所述氮化硅层的应力小于或等于200MPa。

3.根据权利要求2所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，所述牺牲层采用减压CVD形成。

4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述预定高度位置低于所述牺牲层的上表面。

5.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，在所述屏蔽栅上形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层的上表面与所述第一介质层的上表面齐平。

6.根据权利要求5所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的形成过程包括：

在所述沟槽内填充牺牲材料层，所述牺牲材料层延伸至所述沟槽外部的衬底上方；

去除所述衬底表面上牺牲材料层以形成牺牲层。

7.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，采用磷酸溶剂刻蚀所述牺牲层，采用氢氟酸溶剂刻蚀所述第一介质层。

8.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述屏蔽栅的形成过程包括：

在所述沟槽内沉积屏蔽栅材料层，所述屏蔽栅材料层延伸至所述沟槽外部的衬底上方；

对所述屏蔽栅材料层进行第一次回刻，使所述屏蔽栅材料层的表面与衬底表面齐平；

对所述屏蔽栅材料层进行第二次回刻，使所述屏蔽栅材料层刻蚀至所述沟槽的内部以形成屏蔽栅；

所述屏蔽栅材料层为多晶硅。

9.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，在所述沟槽内形成栅极包括：

在所述沟槽内沉积栅极材料层，所述栅极材料层延伸至所述沟槽外部的衬底上方；

去除所述衬底表面的栅极材料层以形成栅极；

所述栅极材料为多晶硅。

10.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述沟槽形成于所述硅外延层中。

11.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法，其特征在于，所述屏蔽栅的材料为多晶硅，所述第二介质层通过热氧化沟槽侧壁的衬底和所述屏蔽栅而形成。

12.一种屏蔽栅沟槽型晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-11任一项所述的屏蔽栅沟槽型晶体管的制造方法制造。