[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及非挥发式存储器的一种高效控制技术，具体地说，涉及数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法。一非挥发式存储器的储存空间划分为多个区块。将主机要求的写入数据编程至非挥发式存储器时，本发明还记录这些区块的编程顺序。本发明提出基于编程顺序进行垃圾回收的技术。

技术领域

本发明有关于非挥发式存储器的控制。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。

发明内容

本发明提出非挥发式存储器的一种高效控制技术。一非挥发式存储器的储存空间划分为多个区块。将主机要求的写入数据编程至非挥发式存储器时，本发明还记录这些区块的编程顺序。本发明提出基于编程顺序进行垃圾回收的技术。

根据本发明一种实施方式实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该非挥发式存储器的储存空间划分为多个区块。该控制器控制该非挥发式存储器。将一主机要求的写入数据编程至该非挥发式存储器时，该控制器还记录这些区块的编程顺序。根据上述编程顺序，该控制器将一第一源区块的有效数据复制到一第一目的区块后，是将一第二源区块的有效数据复制到该第一目的区块，该第二源区块乃接续该第一源区块编程。该第一源区块以及该第二源区块的有效数据复制至该第一目的区块后，该控制器释出该第一源区块以及该第二源区块，实现第一型垃圾回收。

一种实施方式中，该控制器是将该主机要求的写入数据以一第一模式编程至该非挥发式存储器，再经上述第一型垃圾回收转为一第二模式储存。该第一源区块以及该第二源区块采用该第一模式储存数据。该第一目的区块采用该第二模式储存数据。

一种实施方式中，该控制器是在供该第一模式操作的闲置区块数量低于一第一阈值时，进行上述第一型垃圾回收。

一种实施方式中，该控制器在供该第二模式操作的闲置区块数量低于一第二阈值时，进行第二型垃圾回收。经该第二型垃圾回收，该控制器根据有效页数自该第二模式操作的区块间选择一第三源区块，将该第三源区块的有效数据复制到该第二模式操作的一第二目的区块，并将该第三源区块释出。

一种实施方式中，该主机要求更新该第一目的区块的数据时，该控制器经该第一模式将更新内容编程至该非挥发式存储器，并令该第一目的区块的内容无效，使该第一目的区块不经上述第二型垃圾回收即释出。

一种实施方式中，该第一模式为单阶储存模式，且该第二模式为三阶储存模式。

一种实施方式中，该控制器以一编程顺序表纪录该非挥发式存储器采该第一模式的多个区块的编程顺序。

一种实施方式中，该数据储存装置还包括一存储器，耦接该控制器。该控制器在该存储器上管理该区块编程顺序纪录表。

一种实施方式中，该控制器将该编程顺序表载于该非挥发式存储器的系统资讯区块。

一种实施方式中，关于该第一模式操作的区块，该控制器以写入区块结尾资讯纪录下一个编程的区块。该控制器将上述写入区块结尾资讯写入所属区块的尾端。