[发明专利]一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件

权利要求书

1.一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件，其特征在于包括：

一碳化硅基板，该碳化硅基板包括一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；

一金属氧化物半导体场效晶体管，包括一碳化硅n型漂移层、一栅极、一源极以及一漏极，其中该碳化硅n型漂移层、该栅极与该源极靠近该第一表面设置，该漏极则设置于该第二表面，其中，于该碳化硅n型漂移层间隔设置有多个p型井、至少一设置于该p型井的p型区域、至少一设置于该p型井的n型区域、一设置于该碳化硅n型漂移层上的栅极绝缘层以及一连接该栅极的栅极电极；以及

一双向电压箝，设置在该第一表面并包括一连接到该栅极的第一端子以及一连接到该源极的第二端子，该双向电压箝包括至少一与该p型井间隔有一第一距离的p型浮接区，该p型浮接区上包括一第一n型区域以及一第二n型区域，该第一n型区域以及该第二n型区域藉由一间隔区域而彼此分开，且该第一端子经由该第一n型区域上的欧姆接触连接该栅极电极，且该第二端子经由该第二n型区域上的欧姆接触连接该源极。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该金属氧化物半导体场效晶体管为一n通道型金属氧化物半导体场效晶体管。

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该第一端子与该间隔区域之间具有一第二距离，该第二端子与该间隔区域之间具有一第三距离，且该第二距离大于该第三距离。

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该p型浮接区包括一逆行式掺杂外形，且在该逆行式掺杂外形中，该p型浮接区具有一底部以及一掺杂浓度低于该底部的顶部。

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该金属氧化物半导体场效晶体管为一平面金属氧化物半导体场效晶体管。

6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该金属氧化物半导体场效晶体管为一沟槽金属氧化物半导体场效晶体管。

7.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该双向电压箝抑制施加在该栅极与该源极之间的一正向过电压以及一负向过电压。

8.根据权利要求7所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该正向过电压以及该负向过电压的绝对值小于该金属氧化物半导体场效晶体管的正向及负向栅极对源极击穿电压的绝对值。

9.根据权利要求7所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该正向过电压的一绝对值大于该负向过电压的一绝对值。

10.根据权利要求1所述的碳化硅半导体组件，其特征在于，该双向电压箝包括多个并联连接的p型浮接区。