[发明专利]金刚石-碳化硅复合材料的制备方法以及电子设备有效
申请号: | 201911087439.1 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110819313B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 何新波;王旭磊;张子健;曲选辉 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学广州新材料研究院 |
主分类号: | C09K5/14 | 分类号: | C09K5/14;H05K7/20 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510330 广东省广州市海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚石 碳化硅 复合材料 制备 方法 以及 电子设备 | ||
本发明涉及一种金刚石‑碳化硅复合材料的制备方法以及电子设备。该制备方法将金刚石、石墨、第一硅粉、第一粘结剂溶液进行混合。将混合得到的混合物成型处理得到坯体。然后将坯体进行脱脂、冷却,再通过第二粘结剂溶液对冷却后的坯体进行浸渍处理。通过浸渍处理能够使金刚石与金刚石之间形成网状疏松的多孔结构,然后在与第二硅粉熔渗的过程中,硅蒸气通过毛细现象进入网状疏松的多孔结构中,进而促进硅与碳源充分反应生产碳化硅,从而有效降低金刚石‑碳化硅复合材料内部的游离硅的含量,提高金刚石‑碳化硅复合材料的综合性能。使用该制备方法得到的金刚石‑碳化硅复合材料具有良好的散热性能,在使用过程中能够保持良好的稳定性。
技术领域
本发明涉及复合材料技术领域,尤其是涉及一种金刚石-碳化硅复合材料的制备方法以及电子设备。
背景技术
目前,电子设备在人们的生产生活中起着重要的作用,随着技术的进步,电子设备的设计越来越复杂,功率密度也越来越高,由此会产生大量的热量。当这些热量不能及时转移出去时,会直接影响电子设备的正常运行,甚至导致安全事故的发生。通常在电子设备中会采用散热材料来完成相应的散热任务,随着对散热要求的提高,越来越多的散热材料被制备出来,比如,树脂基散热材料、金属基复合材料、金刚石-碳化硅复合材料等等。其中,金刚石-碳化硅复合材料由于具有两相的热膨胀系数匹配、热导率高、密度低等优点而被认为是极具应用前景的散热材料。但是,金刚石-碳化硅复合材料内部游离硅的存在会制约该复合材料的综合性能。而传统的制备方法比如高温高压法、前驱体转化法均难以有效降低金刚石-碳化硅复合材料内部的游离硅的含量,因此传统的制备方法对金刚石-碳化硅复合材料的性能的提升效果欠佳。
发明内容
基于此,有必要提供一种金刚石-碳化硅复合材料的制备方法,通过该制备方法能够有效降低金刚石-碳化硅复合材料内部的游离硅的含量,提高金刚石-碳化硅复合材料的综合性能。
一种金刚石-碳化硅复合材料的制备方法,包括如下步骤:
将金刚石、石墨、硅粉、第一粘结剂按质量比(20~70):(5~10):(5~10):(10~60)备料;
将所述硅粉分为第一硅粉和第二硅粉;
将所述第一粘结剂溶于第一溶剂,得到第一粘结剂溶液;
将第二粘结剂溶于第二溶剂,得到第二粘结剂溶液;
将所述金刚石、所述石墨、所述第一硅粉、所述第一粘结剂溶液混合,得到混合物;
对所述混合物进行成型处理,得到坯体;
对所述坯体进行脱脂、冷却、所述第二粘结剂溶液浸渍处理,得到复合材料预成品;
在真空环境下,对所述复合材料预成品与所述第二硅粉进行熔渗处理。
在其中一个实施例中,对所述坯体进行多次所述脱脂、冷却、所述第二粘结剂溶液浸渍处理,得到所述复合材料预成品。
在其中一个实施例中,所述第一硅粉与所述第二硅粉的质量比为10:(50~80);和/或,
所述第二粘结剂溶液中所述第二粘结剂的浓度为3g/mL~15g/mL。
在其中一个实施例中,所述脱脂的方法为:在氩气氛围中,将所述坯体在1000℃~1300℃下脱脂15h~25h。
在其中一个实施例中,所述第二粘结剂溶液浸渍处理的时间为0.5h~1h;和/或,
所述真空环境的真空度为0.5MPa~1MPa;和/或,
所述熔渗处理的温度为1450℃~1700℃,熔渗时间为1h~2h。
在其中一个实施例中,所述金刚石的粒径为500目~100目,所述硅粉的粒径为500目~200目,所述石墨的粒径为800目~180目。
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