[发明专利]聚焦环高度控制装置及具备其基板蚀刻装置

说明书

本发明提供一种利用通过电机而以上下方向运行的升降机顶升销而补偿聚焦环的倾斜度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。聚焦环高度控制装置包括：聚焦环；第一升降机顶升销，从一侧上升而与聚焦环接触；及第二升降机顶升销，从另一侧上升而与聚焦环接触，其中，第一升降机顶升销与第二升降机顶升销上升，直至全部与聚焦环接触时为止，而补偿聚焦环的倾斜度。

技术领域

本发明涉及一种调节形成于基板的边缘的聚焦环的高度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。

背景技术

半导体元件通过在晶片(wafer)上形成规定的图案而制造。在晶片上形成规定的图案时，连续执行沉积工艺(depositing process)、光刻工艺(lithography process)、蚀刻工艺(etching process)等各种工艺。

现有技术文献

【专利文献】

韩国公开专利第10-2007-0008980号(公开日:2007.01.18.)

发明的内容

发明要解决的问题

在蚀刻工艺中，在对安装在静电卡盘(ESC；Electro-Static Chuck)上的晶片进行蚀刻时，在晶片的边缘形成聚焦环(focus ring)。聚焦环起到减少因不均匀的等离子体分布而产生的晶片的蚀刻不均匀度的作用。

但因在晶片被蚀刻时，聚焦环也能够被蚀刻，由此，在晶片的蚀刻工艺之后，需要调节聚焦环的高度而按被蚀刻的聚焦环的高度程度进行补偿的技术。

本发明中要解决的课题为提供一种聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置，利用通过电机(motor)而以上下方向运行的升降机顶升销(lift pin)，而补偿聚焦环的倾斜度。

本发明的课题并非通过上述言及的课题限制，未言及的或其它课题通过下面的记载而使本发明技术人员明确理解。

用于解决问题的技术方案

用于实现所述课题的本发明的聚焦环高度控制装置的一方面(aspect)，包括：聚焦环(focus ring)；第一升降机顶升销，从一侧上升而与所述聚焦环接触；及第二升降机顶升销，从另一侧上升而与所述聚焦环接触，其中，使所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销上升，直至全部与所述聚焦环接触时为止，而补偿所述聚焦环的倾斜度。

所述聚焦环，所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销由导电性物质形成。

所述导电性物质为碳化硅(SiC)与二氧化钛(TiO2)中的任一个。

所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销进行电连接，基于在所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销之间是否构成闭合电路，判断所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销是否全部与所述聚焦环接触。

所述聚焦环高度控制装置还包括：电信号施加部，设置在电连接所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的配线上，施加电信号；及电信号测定部，设置在所述配线上，判断所述电信号是否流动，其中，利用所述电信号施加部与所述电信号测定部而判断所述闭合电路构成与否。

所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销以相同的速度持续上升，直至判断构成为所述闭合电路时为止。

所述聚焦环高度控制装置还包括：第一升降机顶升销运行控制部，以上下方向移动所述第一升降机顶升销；及第二升降机顶升销运行控制部，以上下方向移动所述第二升降机顶升销，其中，所述第一升降机顶升销运行控制部与所述第二升降机顶升销运行控制部具有步进式电机，并调节所述步进式电机的脉冲而控制所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的移动距离。