[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201911073468.2 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110828503B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 吴世熙;姜珉佑;金钟奎;金贤儿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/46 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
本发明公开了一种发光元件。发光元件包括:第一发光单元,配置到基板的第一区域,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第二发光单元,配置到基板的第二区域,与第一发光单元相隔,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第一导电图案,配置到第一区域,包括与第一导电型半导体层电连接的接触部;以及连接图案,包括与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部、及与第二发光单元的第一导电型半导体层电连接的接触部;在与第二发光单元面对的第一区域的边缘,第一导电图案的一接触部配置到连接图案与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部之间,第一导电图案的一接触部向外侧开放。
本发明是2019年8月7日所提出的申请号为201910727568.6、发明名称为《发光元件》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光元件,更详细而言,涉及一种具有多个发光单元的发光元件。
背景技术
发光二极管作为无机光源,正广泛地利用在如显示装置、车灯、普通照明的各种领域。发光二极管具有寿命长、耗电低且响应速度快的优点,因此正在快速地取代现有光源。
目前,正在开发一种如下的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)元件:与物理连接多个LED元件而构成电路的现有方式不同,在一个LED元件内串联多个芯片而在高电压下进行驱动。
发明内容
[发明欲解决的课题]
本发明想要解决的课题在于提供一种具有较高的光效率的发光元件。
本发明想要解决的课题并不限制于以上所提及的课题,本领域技术人员可根据以下记载明确地理解未提及的其他课题。
[解决课题的手段]
为了达成想要解决的课题,本发明的实施例的发光元件包括:第一发光单元,配置到基板的第一区域,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第二发光单元,配置到所述基板的第二区域,与所述第一发光单元相隔,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第一导电图案,配置到所述第一区域,包括与所述第一导电型半导体层电连接的接触部;以及连接图案,包括与所述第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部、及与所述第二发光单元的第一导电型半导体层电连接的接触部;在与所述第二发光单元面对的第一区域的边缘,所述第一导电图案的一接触部配置到所述连接图案与所述第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部之间,所述第一导电图案的一接触部向外侧开放。
根据实施例,所述第一导电图案的接触部可沿所述第一区域的边缘配置。
根据实施例,所述第一导电图案的各接触部的一侧壁可与所述第一发光单元的活性层及第二导电型半导体层面对,另一侧壁与所述相隔空间面对。
根据实施例,所述第一导电图案可包括从与所述第二发光单元面对之侧面向所述第一导电图案的内部凹陷之凹陷部,所述连接图案包括与所述连接图案的与第二导电型半导体层电连接的接触部电接触且从所述第二区域向所述第一区域延伸的凸出部,所述凹陷部与所述凸出部呈彼此相隔且彼此对应的构造。
根据实施例,所述第一导电图案还可包括在与所述第一导电图案的接触部对应的位置向外侧突出的突出区域。
根据实施例,所述连接图案的与第一导电型半导体层电连接的接触部可分别沿所述第二区域的边缘配置,所述连接图案还包括在与所述连接图案的与第一导电型半导体层电连接的接触部对应的位置向外侧突出的突出区域。
根据实施例,所述第一区域可包括与所述第二发光单元面对的第一侧面、与所述第一侧面对向的第二侧面、连接所述第一侧面与第二侧面的第三侧面及第四侧面,所述第二区域包括与所述第一发光单元面对的第一侧面、与所述第一侧面对向的第二侧面、连接所述第一侧面与第二侧面的第三侧面及第四侧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的