[发明专利]带NTC温度检测的二极管及其制备方法在审
申请号: | 201911071528.7 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN110797268A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 关赫 | 申请(专利权)人: | 启明星半导体技术(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/498;H01L25/00;H01L29/861;H01C7/00;H01C7/04 |
代理公司: | 61222 西安利泽明知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马海蓉 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区细柳街办*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶层 二极管 温度检测 芯片 粘合 衬底 制备 封装 二极管技术 测试芯片 工作寿命 电镀 板设置 打线 切筋 粘片 中层 测试 | ||
1.一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a):粘片,将芯片与NTC一同粘合在DCB衬底上;
(b):打线,将引线粘合在芯片与NTC两端;
(c):封装,将二极管的内部结构用封装材料封装,使其与外部隔离;
(d):电镀,使用电镀设备为引线镀上金属;
(e):切筋,将多余的引线切除,并将剩余引线折弯;
(f):测试,完成上述步骤,将成品进行测试实验后,即制备完成带NTC温度检测的二极管。
2.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(a)中,粘合方法为锡焊,温度为235℃-255℃,粘合材料为锡基合金与松香。
3.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(a)中,DCB衬底的材料由顶层Cu板、中层Al 2O3层和底层Cu板依次堆叠而成。
4.如权利要求3所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述DCB衬底顶层Cu板设置有一个T型缺口。
5.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(b)中,引线的粘合方法为锡焊。
6.如权利要求5所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述引线的材料为铜、铁、铝,或其组合的一种。
7.如权利要求6所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(c)中,封装材料为塑料、玻璃、金属、陶瓷种的一种或者其组合的一种。
8.如权利要求7所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(d)中,电镀方法为滚镀或者挂镀。
9.如权利要求8所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法,其特征在于,为引线镀上的金属为铜、锡、镍、铁、银其中的一种。
10.一种带NTC温度检测的二极管,其特征在于,包括封装在一起的芯片、NTC以及DCB衬底,所述DCB衬底由底层Cu板、中层Al2O3层以及顶层Cu板组成,所述顶层Cu板设置有一个T型缺口,所述芯片粘合在顶层Cu板一侧,所述NTC粘合在顶层Cu板另一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造