[发明专利]标准单元

说明书

提供了标准单元。所述标准单元可以包括：具有第一导电类型的第一垂直场效应晶体管(VFET)、具有第二导电类型的第二VFET以及具有所述第一导电类型的第三VFET。所述第一VFET可以包括第一沟道区域，所述第一沟道区域从衬底突出，并且所述第一沟道区域具有第一长度。所述第二VFET可以包括第二沟道区域，所述第二沟道区域从所述衬底突出，并且所述第二沟道区域具有第二长度。所述第三VFET可以包括从所述衬底突出的第三沟道区域。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以彼此间隔开，并且可以沿着一个方向顺序地布置，所述第二长度可以大于所述第一长度的1.5倍。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月5日在USPTO提交的美国临时专利申请No.62/755,681的优先权以及于2019年6月7日在USPTO提交的美国专利申请No.16/434,276的优先权，所述专利申请通过整体引用包含于此。

技术领域

本公开总体上涉及电子领域，更具体地，涉及垂直场效应晶体管(VFET)器件。

背景技术

由于VFET器件的高扩展性，已经对VFET器件进行研究。此外，VFET之间的互连可以比平面晶体管之间的互连更简单。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例，标准单元可以包括：具有第一导电类型的第一垂直场效应晶体管(VFET)、具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二VFET以及具有所述第一导电类型的第三VFET。所述第一VFET可以包括第一沟道区域，所述第一沟道区域在垂直于衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出，并且所述第一沟道区域在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上具有第一长度。所述第二VFET可以包括第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出，并且所述第二沟道区域在所述第一水平方向上具有第二长度。所述第三VFET可以包括第三沟道区域，所述第三沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以在所述第一水平方向上彼此间隔开，并且可以沿着所述第一水平方向顺序地布置，所述第二长度可以大于所述第一长度的1.5倍。

根据本发明构思的一些实施例，标准单元可以包括：第一垂直场效应晶体管(VFET)，所述第一VFET包括第一沟道区域，所述第一沟道区域在垂直于衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出；第二VFET，所述第二VFET包括第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出；以及第三VFET，所述第三VFET包括第三沟道区域，所述第三沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上彼此间隔开，并且可以沿着所述第一水平方向顺序地布置。所述标准单元还可以包括与所述第一VFET相邻的第一单元边界以及与所述第三VFET相邻的第二单元边界。所述第一单元边界和所述第二单元边界可以在所述第一水平方向上彼此间隔开。所述第二沟道区域可以包括在所述第一水平方向上与所述第一单元边界和所述第二单元边界均等距的部分。

根据本发明构思的一些实施例，标准单元可以包括：第一垂直场效应晶体管(VFET)，所述第一VFET包括第一沟道区域，所述第一沟道区域在垂直于衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出；第二VFET，所述第二VFET包括第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出；以及第三VFET，所述第三VFET包括第三沟道区域，所述第三沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上彼此间隔开，并且沿着所述第一水平方向顺序地布置。所述标准单元还可以包括与所述第一VFET相邻的第一底部接触以及与所述第三VFET相邻的第二底部接触。所述第一底部接触可以沿着第一单元边界延伸并且可以电连接到所述第一VFET。所述第二底部接触可以沿着第二单元边界延伸并且可以电连接到所述第三VFET。所述第一单元边界和所述第二单元边界可以在所述第一水平方向上彼此间隔开。所述第一底部接触和所述第二底部接触可以被构造为接收具有第一电压的第一电源。