[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。

技术领域

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

以氮化镓基材料(GaN-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。

发明内容

本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)的方法。首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。

本发明另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一阻障层设于该缓冲层上、一P型半导体层设于该阻障层上且该P型半导体层包含L形、一栅极电极设于该P型半导体层上以及一源极电极以及一漏极电极设于该栅极电极两侧的该缓冲层上。

本发明又一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一阻障层设于该缓冲层上、一P型半导体层设于该阻障层上且P型半导体层包含T形、一栅极电极设于该P型半导体层上以及一源极电极以及一漏极电极设于该栅极电极两侧的该缓冲层上。

附图说明

图1至图5为本发明一实施例制作一高电子迁移率晶体管的方法示意图；

图6至图7为本发明一实施例制作一高电子迁移率晶体管的方法示意图。

主要元件符号说明

12 基底 14 缓冲层

16 阻障层 18 MESA区域

20 硬掩模 22 凹槽

24 凹槽 26 凹槽

28 源极电极 30 漏极电极

32 凹槽 34 P型半导体层

36 栅极材料层 38 栅极结构

40 栅极电极 42 场极板

44 第一部分 46 第二部分

48 凹槽 50 第三部分

具体实施方式