[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：

形成缓冲层于基底上；

形成阻障层于该缓冲层上；

形成硬掩模于该阻障层上；

去除该硬掩模以形成第一凹槽暴露出该阻障层；

去除该第一凹槽旁的该硬掩模以形成第二凹槽；以及

形成P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一凹槽连接该第二凹槽。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第一凹槽底部低于该第二凹槽底部。

4.如权利要求1所述的方法，其中该P型半导体层包含L形。

5.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成源极电极以及漏极电极于该第一凹槽两侧；

形成该P型半导体层；以及

形成栅极电极于该P型半导体层上。

6.如权利要求1所述的方法，另包含：

去除该硬掩模以形成该第一凹槽以及第三凹槽于该第一凹槽一侧；以及

形成该P型半导体层于该第一凹槽、该第二凹槽以及该第三凹槽内。

7.如权利要求6所述的方法，其中该第一凹槽连接该第二凹槽以及该第三凹槽。

8.如权利要求6所述的方法，其中该第一凹槽底部低于该第二凹槽底部以及该第三凹槽底部。

9.如权利要求6所述的方法，其中该P型半导体层包含T形。

10.如权利要求1所述的方法，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。

11.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上，其中该P型半导体层包含L形；

栅极电极，设于该P型半导体层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧的该缓冲层上。

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，另包含硬掩模，设于该阻障层上并环绕该P型半导体层以及该栅极电极。

13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该P型半导体层下方。

14.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含：

第一部分，设于该阻障层上；以及

第二部分，设于该硬掩模上。

15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一部分连接该第二部分。

16.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上，其中该P型半导体层包含T形；

栅极电极，设于该P型半导体层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧的该缓冲层上。

17.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，另包含硬掩模，设于该阻障层上并环绕该P型半导体层以及该栅极电极。

18.如权利要求17所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该P型半导体层下方。