[发明专利]半导体器件的制备方法

说明书

一种半导体器件的制备方法，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘以及位于所述焊盘上的钝化结构，所述钝化结构包括位于所述焊盘上的第一钝化层；于所述钝化结构上覆盖图形化光阻层，所述图形化光阻层包括用于暴露所述钝化结构部分区域的开口，所述第一钝化层对应所述开口的区域包括朝向所述开口设置的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分；通过终点检测法对所述第一钝化层的第一部分进行等离子蚀刻，以保留所述第一钝化层的第二部分；以及对所述第一钝化层的第二部分进行等离子蚀刻，从而暴露所述焊盘。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

随着集成电路的制作向超大规模集成电路(ULSI：Ultra Large-ScaleIntegration)发展，晶片上的电路密度越来越大，晶片上所含元件数量不断增加，晶片表面已无法提供足够的面积来制作所需的互连结构(Interconnect)。为此，出现了两层以上的多层互连结构的设计方法。所述设计方法通过刻蚀层间介质层形成沟槽或通孔，并在所述沟槽和通孔中填充导电材料来实现芯片内的多层电互连。形成互连结构后，为实现芯片与外部电路之间的电连接(bonding)，还需要在晶片表面形成焊盘(pad)，所述焊盘与互连结构电连接。

目前半导体器件或集成电路的焊盘的一种常用的制作方法包括：在晶片最上面的顶层金属上生长钝化层之后，采用刻蚀工艺将钝化层进行部分刻蚀以暴露出所述顶层金属的一部分，以形成焊盘。所述焊盘用于键合引线以便与其它器件或集成电路相连。

然而，由于钝化层的蚀刻过程中需要采用CF₄、CHF₃、CH₃F、CH₂F₂等碳氟刻蚀气体。蚀刻完成后，顶层金属上容易残留少量的碳离子和氟离子，而碳离子和氟离子会对顶层金属造成腐蚀，降低制程良率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体器件的制备方法。

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘以及位于所述焊盘上的钝化结构，所述钝化结构包括位于所述焊盘上的第一钝化层；于所述钝化结构上覆盖图形化光阻层，所述图形化光阻层包括用于暴露所述钝化结构部分区域的开口，所述第一钝化层对应所述开口的区域包括朝向所述开口设置的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分；通过终点检测法对所述第一钝化层的第一部分进行等离子蚀刻，以保留所述第一钝化层的第二部分；以及对所述第一钝化层的第二部分进行等离子蚀刻，从而暴露所述焊盘。

在本发明一些实施例中，对所述第一部分进行等离子蚀刻所采用的反应气体包括流量为30-40sccm的C₄F₆，流量为30-40sccm的O₂和流量为780-820sccm的Ar，反应压力为70-80mTorr，射频功率为900-1100W。

在本发明一些实施例中，对所述第二部分进行等离子蚀刻所采用的反应气体包括流量为30-40sccm的C₄F₆，流量为30-40sccm的O₂和流量为785-815sccm的Ar，反应时间为22-28秒，反应压力为70-80mTorr，射频功率为900-1100W。

在本发明一些实施例中，所述钝化结构还包括位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述开口用于暴露所述第二钝化层部分区域，在对所述第一部分进行等离子蚀刻之前，所述方法还包括：对所述第二钝化层暴露于所述开口的区域进行等离子蚀刻，从而暴露所述第一部分。

在本发明一些实施例中，对所述第二钝化层进行等离子蚀刻所采用的反应气体包括流量为190-210sccm的CHF₃，流量为45-55sccm的CF₄和流量为980-1020sccm的Ar，反应时间为38-46秒，反应压力为190-210mTorr，射频功率为900-1100W。