[发明专利]写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路

权利要求书

1.一种读取目标存储器单元的方法，用以自存储器单元阵列中的第一目标存储器单元读取数据，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，所述第一目标存储器单元的主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者且所述第一目标存储器单元的次要存取线为所述多个次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高，其中在用以寻址所述第一目标存储器单元的读取操作期间，所述方法包括：

选择所述第一目标存储器单元以在所述第一次要存取线上提供读取电流；以及

根据所述读取电流，并进一步根据处于所述第一逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目以及处于所述第二逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目，来判定所述第一目标存储器单元的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中选择所述第一目标存储器单元包括在所述第一主要存取线及所述第一次要存取线上施加读取选择电压差，同时在所述存储器阵列中非所述第一目标存储器单元的所述多个存储器单元中的每一者上施加小于所述读取选择电压差的电压差。

3.根据权利要求2所述的读取目标存储器单元的方法，其中在所述第一主要存取线及所述第一次要存取线上施加读取选择电压差包括：

将主要存取线读取选择电压施加至所述第一主要存取线；

将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线而不施加至所述第一主要存取线；

将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线；以及

将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线。

4.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态包括：

判定所述第一次要存取线上的漏电流电平；以及

根据经侦测的读取电流电平及经判定的漏电流电平来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态。

5.根据权利要求4所述的读取目标存储器单元的方法，其中判定所述第一次要存取线上的所述漏电流电平包括：

将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线；

将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线；以及

将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线。

6.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，包括：

在所述读取操作的第一区段内同时进行下述步骤：

将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线，

将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及

将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；

将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为参考电流值；以及

在所述读取操作的第二区段内同时进行下述步骤：

将主要存取线读取选择电压施加至所述第一主要存取线，

将所述主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线而不施加至所述第一主要存取线，

将所述次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及

将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；

将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为读取电流值；以及

根据所述读取电流值与所述参考电流值之间的差来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态。