[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，在退火处理前，形成覆盖所述有源区的保护层，能够在退火过程中保护有源区，保护层能够隔离有源区和氧气，避免有源区中的硅和氧接触在高温下形成气态的氧化硅而导致有源区中出现孔洞。因此，本发明实施例的半导体器件的形成方法能够确保栅氧化层的完整性，提高半导体器件的耐压性，进而能够提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，以提高半导体器件的性能。

本发明实施例所述方法包括：

提供前端器件层，所述前端器件层包括有源区和浅沟槽隔离结构；

形成至少覆盖所述有源区的保护层，以将所述有源区和外部气体隔离；

对所述有源区进行退火处理。

进一步地，所述保护层的材料为组织致密的材料。

进一步地，所述保护层的材料为致密二氧化硅。

进一步地，所述保护层的厚度为10纳米-20纳米。

进一步地，所述形成至少覆盖所述有源区的保护层具体包括：

采用化学气相沉积工艺，以正硅酸乙酯作为反应气体，在所述有源区上形成所述保护层。

进一步地，所述对所述有源区进行退火处理具体为：

在500℃-800℃的温度中，保温3小时-8小时。

进一步地，所述半导体器件为金属氧化物半导体。

进一步地，所述半导体器件的工作电压为18V。

进一步地，在所述提供前端器件层后，在所述形成至少覆盖所述有源区的保护层前，所述方法还包括：

在所述有源区的预定区域进行离子注入，以形成阱区。

进一步地，在所述离子注入前，所述方法还包括：

在所述有源区中形成栅极和源漏区。

在本发明实施例中，在退火处理前，形成覆盖所述有源区的保护层，能够在退火过程中保护有源区，保护层能够隔离有源区和氧气，避免有源区中的硅和氧接触在高温下形成气态的氧化硅而导致有源区中出现孔洞。因此，本发明实施例的半导体器件的形成方法能够确保栅氧化层的完整性，提高半导体器件的耐压性，进而能够提高半导体器件的可靠性。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是对比例的半导体器件的形成方法形成的结构的示意图；

图2是本发明实施例的半导体器件的形成方法的流程图；

图3-图4是本发明实施例的半导体器件的形成方法的各步骤形成的结构的示意图；

图5-图6是本发明实施例的半导体器件的栅氧化层完整性的检测结果示意图。

具体实施方式