[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910961897.7 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN112652531A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘志坤;董天化;袁俊;兰启明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供前端器件层，所述前端器件层包括有源区和浅沟槽隔离结构；
形成至少覆盖所述有源区的保护层，以将所述有源区和外部气体隔离；
对所述有源区进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为组织致密的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为致密二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10纳米-20纳米。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述有源区的保护层具体包括：
采用化学气相沉积工艺，以正硅酸乙酯作为反应气体，在所述有源区上形成所述保护层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述有源区进行退火处理具体为：
在500℃-800℃的温度中，保温3小时-8小时。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为金属氧化物半导体。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的工作电压为18V。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述提供前端器件层后，在所述形成至少覆盖所述有源区的保护层前，所述方法还包括：
在所述有源区的预定区域进行离子注入，以形成阱区。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
在所述离子注入前，所述方法还包括：
在所述有源区中形成栅极和源漏区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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