[发明专利]图像传感器、摄像头组件及移动终端有效
| 申请号: | 201910941618.0 | 申请日: | 2019-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN110649056B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 徐锐;张弓;张海裕;王文涛;李小涛;孙剑波;杨鑫;唐城;蓝和 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/225;H04N5/235;H04N5/369;H04N9/04 |
| 代理公司: | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人: | 徐静 |
| 地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 摄像头 组件 移动 终端 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
全色像素;和
彩色像素,所述彩色像素具有比所述全色像素更窄的光谱响应;
所述全色像素及所述彩色像素均包括光电转换元件,每个所述光电转换元件均包括n势阱层,所述全色像素的n势阱层具有比所述彩色像素的n势阱层更高的掺杂浓度;
所述全色像素的n势阱层的横截面的尺寸大于所述彩色像素的n势阱层的横截面的尺寸,其中,所述n势阱层的横截面为沿垂直于收光方向的方向截取得到的所述n势阱层的截面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述全色像素的n势阱层的深度大于或等于所述彩色像素的n势阱层的深度。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,沿所述图像传感器的收光方向,每个像素的n势阱层的多个横截面的尺寸相等。
4.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,沿所述图像传感器的收光方向,所述全色像素的n势阱层的横截面的尺寸逐渐增大,所述彩色像素的n势阱层的横截面的尺寸逐渐减小,所述全色像素的n势阱层的最小的横截面的尺寸大于或等于所述彩色像素的n势阱层的最大的横截面的尺寸。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的图像传感器,其特征在于,每个像素均包括垂直电荷转移门和读出电路,每个所述像素的所述垂直电荷转移门连接所述像素的n势阱层及所述像素的读出电路;
在所述全色像素的n势阱层的深度大于所述彩色像素的n势阱层的深度时,所述彩色像素的垂直电荷转移门的高度大于所述全色像素的垂直电荷转移门的高度。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括深度隔离墙,所述深度隔离墙设置在相邻两个像素的所述光电转换元件之间。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的图像传感器,其特征在于,每个像素均包括微透镜、滤光片及隔离层,沿所述图像传感器的收光方向,所述微透镜、滤光片、所述隔离层、及所述光电转换元件依次设置。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,每个所述像素还包括导光层,所述导光层形成在所述像素的所述隔离层内,所述导光层的折射率大于所述隔离层的折射率。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,每个所述像素还包括聚光透镜,所述聚光透镜设置在所述隔离层内。
10.一种摄像头组件,其特征在于,包括:
镜头;及
权利要求1-9任意一项所述的图像传感器,所述图像传感器接收穿过所述镜头的光线以获取原始图像。
11.一种移动终端,其特征在于,包括:
壳体;及
权利要求10所述的摄像头组件,所述摄像头组件与所述壳体结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





