[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201910936715.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN111009477A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;増井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
保持工序,使基板保持于基板保持部;
旋转工序,使所述基板保持部旋转而使所述基板旋转;
上升工序,使包围所述基板保持部的外周的杯状构件上升,并使所述杯状构件的上端位于较保持于所述基板保持部的所述基板的上表面而言更高的上端位置;
斜面处理工序,自位于较所述上端位置而言更低的位置的喷嘴的喷出口向保持于所述基板保持部的所述基板的上表面的端部喷出处理液;
摄像工序,使照相机对作为包含自所述喷嘴的所述喷出口喷出的处理液的摄像区域且自保持于所述基板保持部的所述基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄,取得摄像图像;以及
监视工序,基于所述摄像图像判定所述处理液的喷出状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述监视工序包括:
判定所述摄像图像中位于所述喷嘴的正下方且较纵向而言在横向上长的喷出判定区域内的像素的亮度值的第一统计量是否为第一阈值以上,且在所述第一统计量为所述第一阈值以上时,判定为自所述喷嘴喷出有所述处理液的工序。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述监视工序包括:
判定所述第一统计量是否为比所述第一阈值大的第二阈值以上,且在所述第一统计量为所述第二阈值以上时,判定为产生所述处理液在所述基板的所述上表面弹回的液体飞溅的工序。
4.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述监视工序包括:
基于液体飞溅判定区域内的像素的亮度值,判定是否产生所述处理液在所述基板的所述上表面弹回的液体飞溅的工序,所述液体飞溅判定区域设定于所述摄像图像中相对于所述喷出判定区域而言的所述基板的旋转方向的下游侧。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述摄像图像中、在相对于所述喷出判定区域而言的所述基板的旋转方向的上游侧并未设定所述液体飞溅判定区域。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述喷出判定区域是设定于所述摄像图像中包含通过镜面反射而映现于所述基板的所述上表面的所述处理液的一部分的位置。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,
所述照相机的曝光时间是设定为所述基板旋转一周所需的时间以上。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中
基于在所述基板旋转一周所需的时间以上的时间内利用所述照相机取得的多个摄像图像进行积分或平均而获得的加工图像中的所述喷出判定区域内的像素的亮度值,求出所述第一统计量。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述监视工序中,
利用完成机器学习的分类器,对所述摄像图像按照表示自所述喷嘴的前端喷出的处理液的喷出状态的类别进行分类。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述监视工序中,
自所述摄像图像切出位于所述喷嘴的正下方且较纵向而言在横向上长的喷出判定区域,将所切出的所述喷出判定区域的图像输入至所述分类器。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述摄像图像中包含所述基板的周缘的一部分,
所述斜面处理工序包括:
基于所述摄像图像求出所述基板的周缘的一部分的基板周缘位置的工序;以及
使所述喷嘴自所述基板周缘位置向所述基板的中心部的处理位置移动规定宽度的工序。
12.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
基板保持部,保持基板并使所述基板旋转;
杯状构件,包围所述基板保持部的外周;
升降机构,使所述杯状构件上升,并使所述杯状构件的上端位于较保持于所述基板保持部的所述基板的上表面而言更高的上端位置;
喷嘴,具有位于较所述上端位置而言更低的位置的喷出口,并自所述喷出口向保持于所述基板保持部的所述基板的上表面的端部喷出处理液;
照相机,对包含自所述喷嘴的所述喷出口喷出的处理液的摄像区域且自保持于所述基板保持部的所述基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄,取得摄像图像;以及
图像处理部,基于所述摄像图像判定所述处理液的喷出状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造