[发明专利]发光器件及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法。该发光器件，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺；或者，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和多巴胺。经聚多巴胺或多巴胺修饰的阴极，表面缺陷得到抑制、界面结合能力和载流子传输能力均得到改善，从而提高了器件的发光性能和使用寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法。

背景技术

近年来，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。

QLED或OLED是由两个电极和在电极与发光层之间添加各种功能层形成的类似“三明治”的薄膜叠层结构，这些功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。各薄膜层的成膜质量和界面结合会极大程度地影响器件的各项性能。目前的器件和相关材料大都是在低温条件下(≤300℃)制备，对设备的要求相应的降低，有利于简化工艺和降低成本。然而，低温法制备的电子传输层材料，其表面缺陷多，电子迁移率低，且成膜过程中易出现成膜不均匀、存在针孔等现象；传统阴极材料，特别是金属电极材料，易受到水、氧等环境因素的影响；此外，传统阴极材料与电子传输层材料在材料结构和性能差异较大，形成的膜层界面连接不紧密，存在界面缺陷。这些因素会导致漏电流、非辐射跃迁和界面电荷积累等的发生，严重影响器件发光性能和寿命。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光器件及其制备方法，旨在解决现有器件中的阴极材料因材料结构和性能方面差异与相邻层之间连接不紧密，材料表面及相邻层的界面存在缺陷态，从而影响器件的发光性能和使用寿命的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种发光器件，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺；或者，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和多巴胺。

本发明提供的发光器件中的阴极含有阴极纳米材料和聚多巴胺或多巴胺，当多巴胺和阴极纳米材料复合形成电极时，聚多巴胺或多巴胺可以对阴极纳米材料起到很好的保护作用；该聚多巴胺或多巴胺分子结构中含有邻苯二酚，可以通过丰富的氢键等方式与阴极纳米材料产生强烈的黏附效果，能够大大地改善阴极成膜质量，并提高阴极的界面结合度；而且聚多巴胺或多巴胺结构中的邻苯二酚与阴极相邻相膜层材料表面的缺陷点位形成偶联共轭结构，从而对膜层表面进行有效钝化，抑制表面缺陷态。此外，聚多巴胺或多巴胺本身具有较好的载流子传输能力，与阴极纳米材料一起作为复合电极，其载流子传输能力显著提高。总之，经聚多巴胺或多巴胺修饰的电极，膜层表面缺陷得到抑制、界面结合能力和载流子传输能力均得到改善，从而提高了器件的发光性能和使用寿命。

本发明另一方面提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备阴极，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺；或者，所述阴极的材料包括阴极纳米材料和多巴胺。

本发明提供的发光器件的制备方法，其工艺简单，可大规模制备，该制备方法中直接形成含有聚多巴胺或多巴胺的阴极，经该聚多巴胺或多巴胺修饰的电极，表面缺陷得到抑制、界面结合能力和载流子传输能力均得到改善，从而提高了器件的发光性能和使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的量子点发光二极管的阴极中N个层叠单元结构示意图；

图2为本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；