[发明专利]发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201910921946.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN112582564B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王劲;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光器件,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,其特征在于,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺;或者,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺以及多巴胺;
所述阴极包括N个层叠单元,每个所述层叠单元由层叠设置的多巴胺层和阴极材料层组成,且每个所述层叠单元中的多巴胺层位于该层叠单元中的阴极材料层与所述发光层之间;其中,所述阴极材料层的材料包括所述阴极纳米材料,所述多巴胺层由所述聚多巴胺组成,或者所述多巴胺层由所述聚多巴胺以及多巴胺组成;N为大于或等于1的整数。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,N=1,所述多巴胺层的厚度为10-250nm,所述阴极材料层的厚度为1-200nm;或者,
N=2-10,每个所述层叠单元中的多巴胺层的厚度为1-50nm,每个所述层叠单元中的阴极材料层的厚度为1-50nm。
3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极与所述发光层之间设置有电子功能层;和/或,
所述阳极和所述发光层之间设置有空穴功能层。
4.如权利要求1-3任一项所述的发光器件,其特征在于,每个所述层叠单元中阴极材料层的材料选自金属纳米材料、碳纳米材料和金属氧化物纳米材料中的至少一种。
5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述金属纳米材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca和Mg中的至少一种;和/或,
所述碳纳米材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯和碳纤维中的至少一种;和/或,
所述金属氧化物纳米材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO和AMO中的至少一种。
6.如权利要求1-3任一项所述的发光器件,其特征在于,每个所述层叠单元中多巴胺层含有用于调控多巴胺自聚的调节剂。
7.如权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述调节剂选自所述调节剂选自三(羟甲基)氨基甲烷、邻苯二甲酸氢钾、邻苯二甲酸氢钠、磷酸钾、磷酸钠、二甲胂酸钾、二甲胂酸钠、3-吗啉丙磺酸钾、3-吗啉丙磺酸钠和铵盐中的至少一种;和/或,
每层多巴胺层中,调节剂的质量为该多巴胺层中的多巴胺质量的0.1-10%。
8.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基板;
在所述基板上制备阴极,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺;或者,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和聚多巴胺以及多巴胺;
在所述基板上制备阴极的步骤包括:
在所述基板表面沉积所述阴极纳米材料得到一层阴极材料层,在所述阴极材料层表面沉积一层多巴胺层,所述多巴胺层由所述聚多巴胺或者所述聚多巴胺以及多巴胺组成,所述阴极材料层和所述多巴胺层组成层叠单元;重复所述层叠单元的制备步骤在所述基板表面形成N个层叠单元;
在所述N个层叠单元上制备发光层,在所述发光层上制备阳极;
或者,
所述基板表面设置有阳极;
在所述阳极上制备发光层;
在所述发光层上沉积一层多巴胺层,所述多巴胺层由所述聚多巴胺或者所述聚多巴胺以及多巴胺组成,在所述多巴胺层表面沉积所述阴极纳米材料得到一层阴极材料层,所述多巴胺层和阴极材料层组成层叠单元;重复所述层叠单元的制备步骤在所述发光层上形成N个层叠单元;
其中,N为大于或等于1的整数。
9.如权利要求8所述的发光器件的制备方法,在所述基板表面形成N个层叠单元之后,或者在所述发光层上形成N个层叠单元之后,还包括对形成的N个层叠单元进行通电处理和/或退火处理;其中,
所述通电处理的电流密度为0.1-50mA/cm2,所述退火处理的退火温度为10-300℃。
10.如权利要求8所述的发光器件的制备方法,其特征在于,在沉积所述多巴胺层的步骤中,还加入了用于调控所述多巴胺自聚的调节剂,得到多巴胺层的材料为聚多巴胺;
其中,所述调节剂选自三(羟甲基)氨基甲烷、邻苯二甲酸氢钾、邻苯二甲酸氢钠、磷酸钾、磷酸钠、二甲胂酸钾、二甲胂酸钠、3-吗啉丙磺酸钾、3-吗啉丙磺酸钠和铵盐中的至少一种;和/或,
所述调节剂的质量为所述多巴胺质量的0.1-10%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择