[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基板结构，其包括第一基板、在垂直于所述第一基板的第一表面的方向上堆叠且彼此间隔开的第一栅电极、垂直于所述第一基板延伸且穿过所述第一栅电极的第一沟道、连接到所述第一沟道的第一位线、以及设置在所述第一位线上从而电连接到所述第一位线的第一接合焊盘，其中，在垂直于所述第一基板的所述第一表面的所述方向上，所述第一位线设置在所述第一沟道与所述第一接合焊盘之间，并且所述第一沟道在所述第一基板与所述第一位线之间延伸；以及

第二基板结构，其在所述第一基板结构上连接到所述第一基板结构，并且包括第二基板、在垂直于所述第二基板的第一表面的方向上堆叠且彼此间隔开的第二栅电极、垂直于所述第二基板延伸同时穿过所述第二栅电极的第二沟道、连接到所述第二沟道的第二位线、以及设置在所述第二位线上从而电连接到所述第二位线的第二接合焊盘，所述第二基板的所述第一表面面向所述第一基板的所述第一表面，其中，在垂直于所述第二基板的所述第一表面的所述方向上，所述第二位线设置在所述第二沟道与所述第二接合焊盘之间，并且所述第二沟道在所述第二基板与所述第二位线之间延伸，

其中所述第一基板结构和所述第二基板结构通过所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘接合在一起并且彼此连接，并且所述第一位线分别通过所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘电连接到所述第二位线。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一位线电连接到所述第二位线，并且相应的第一位线和第二位线平行设置且彼此垂直交叠。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一位线通过布线结构连接到所述第二位线，以及

所述布线结构包括设置在所述第一接合焊盘与所述第一位线之间的至少一个接触插塞以及设置在所述第二接合焊盘与所述第二位线之间的至少一个接触插塞。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一沟道通过相应的接触插塞连接到所述第一位线，并且所述第二沟道通过相应的接触插塞连接到所述第二位线。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极分别在平行于所述第一基板的所述第一表面和所述第二基板的所述第一表面的一个方向上延伸不同的长度，以在所述第一栅电极和所述第二栅电极的端部处提供接触区域。

6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第一单元接触插塞，其垂直于所述第一基板的所述第一表面延伸并在一个第一栅电极的所述接触区域中连接到所述第一栅电极中的所述一个第一栅电极；

第二单元接触插塞，其垂直于所述第二基板的所述第一表面延伸并在一个第二栅电极的所述接触区域中连接到所述第二栅电极中的所述一个第二栅电极；

第三接合焊盘，设置在所述第一单元接触插塞上，使得在垂直于所述第一基板的所述第一表面的所述方向上，所述第一单元接触插塞在所述一个第一栅电极与所述第三接合焊盘之间；以及

第四接合焊盘，设置在所述第二单元接触插塞上，使得在垂直于所述第二基板的所述第一表面的所述方向上，所述第二单元接触插塞在所述一个第二栅电极与所述第四接合焊盘之间，

其中所述第三接合焊盘和所述第四接合焊盘彼此接合。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第三接合焊盘和所述第四接合焊盘将所述第一单元接触插塞电连接到所述第二单元接触插塞。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极以及所述第一沟道和所述第二沟道关于所述第一基板结构与所述第二基板结构之间的界面对称地设置。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一基板结构还包括基底基板以及设置在所述第一基板与所述基底基板之间的电路元件。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述电路元件的一部分电连接到所述第二基板结构的所述第二栅电极。